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APTGLQ100A120TG

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APTGLQ100A120TG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原装

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APTGLQ100A120TG PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

APTGLQ100A120TG PDF下载

功能描述
POWER MODULE - IGBT
制造商
microsemi corporation
系列
-
零件状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
170A
功率 - 最大值
520W
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）
2.42V @ 15V，100A
电流 - 集电极截止（最大值）
50μA
不同?Vce 时的输入电容（Cies）
6.15nF @ 25V
输入
标准
NTC 热敏电阻
是
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
SP4
标准包装
1

APTGLQ100A120TG 技术参数

APTGLQ100A120T3AG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 185A 650W Through Hole SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:185A 功率 - 最大值:650W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.15nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:通孔封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGL90SK120T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 110A 385W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:110A 功率 - 最大值:385W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.25V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.4nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGL90H120T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge 1200V 110A 385W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:全桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:110A 功率 - 最大值:385W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.25V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.4nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGL90DSK120T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual Buck Chopper 1200V 110A 385W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:双路降压斩波器电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:110A 功率 - 最大值:385W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.25V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.4nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGL90DH120T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1200V 110A 385W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:非对称桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:110A 功率 - 最大值:385W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.2V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.4nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGLQ25H120T1G APTGLQ25H120T2G APTGLQ300A120G APTGLQ300H65G APTGLQ300SK120G APTGLQ30H65T3G APTGLQ400A120T6G APTGLQ40DDA120CT3G APTGLQ40H120T1G APTGLQ40HR120CT3G APTGLQ50DDA65T3G APTGLQ50H65T1G APTGLQ50H65T3G APTGLQ50TL65T3G APTGLQ50VDA65T3G APTGLQ600A65T6G APTGLQ75H120T3G APTGLQ75H120TG