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APTGU180A120

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APTGU180A120 技术参数
  • APTGTQ50TA65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50A 功率 - 最大值:125W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.2V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):50μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP3F 标准包装:1 APTGTQ200SK65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:降压斩波器 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200A 功率 - 最大值:483W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.2V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):200μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):12nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP3F 标准包装:1 APTGTQ200DA65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:升压斩波器 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200A 功率 - 最大值:483W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.2V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):200μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):12nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP3F 标准包装:1 APTGTQ200A65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200A 功率 - 最大值:483W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.2V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):200μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):12nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP3F 标准包装:1 APTGTQ150TA65TPG 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):150A 功率 - 最大值:365W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.2V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):150μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):9nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTGV50H60T3G APTGV75H60T3G APTH003A0X4-SRZ APTH003A0X-SR APTH003A0X-SRZ APTH006A0X4-SR APTH006A0X4-SRZ APTH006A0X-SR APTH006A0X-SRZ APTH012A0X3-SRZ APTH012A0X43-SRZ APTH020A0X3-SRZ APTH020A0X43-SRZ APTJC120AM13VCT1AG APTJC120AM25VCT1AG APTK2012RWC/Z-F01 APTL3216CGCK APTL3216PBC/A
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