APTM100A18FTG

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说明
操作

APTM100A18FTG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
17+
-
瑞智芯只有原装

APTM100A18FTG
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
SP4
17+
-
全新原装现货

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1

您是不是要找： APTM100A23SCTG APTM100A23STG APTM100A40FT1G APTM100A46FT1G APTM100AM90FG APTM100DA18T1G APTM100DA18TG APTM100DA33T1G APTM100DA40T1G

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功能描述
MOSFET 2 N CH 1000V 43A SP4
RoHS
是
类别
半导体模块 >> FET
系列
-
标准包装
10
系列
*

APTM100A18FTG 技术参数

APTM100A13SG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:65A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:156 毫欧 @ 32.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:562nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:15200pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM100A13SCG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:65A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:156 毫欧 @ 32.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:562nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:15200pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM100A13DG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:65A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:156 毫欧 @ 32.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:562nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:15200pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM100A12STG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:停产 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:68A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 34A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:616nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:17400pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTM08TDUM04PG 功能描述:MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:6 N-沟道（3 相桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 毫欧 @ 60A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:153nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4530pF @ 25V 功率 - 最大值:138W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTM100DAM90G APTM100DDA35T3G APTM100DSK35T3G APTM100DU18TG APTM100DUM90G APTM100H18FG APTM100H35FT3G APTM100H35FTG APTM100H45FT3G APTM100H45SCTG APTM100H45STG APTM100H46FT3G APTM100H80FT1G APTM100SK18TG APTM100SK33T1G APTM100SK40T1G APTM100SKM90G APTM100TA35FPG