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APTM100DUM90G

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APTM100DUM90G
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
SP6
17+
-
全新原装现货

1/1页 40条/页共7条
1

您是不是要找： APTM100H18FG APTM100H35FT3G APTM100H35FTG APTM100H45FT3G APTM100H45SCTG APTM100H45STG APTM100H46FT3G APTM100H80FT1G APTM100SK18TG

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功能描述
MOSFET MOD DUAL COMMON SRC SP6
RoHS
是
类别
半导体模块 >> FET
系列
-
标准包装
10
系列
*

APTM100DUM90G 技术参数

APTM100DU18TG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:43A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:210 毫欧 @ 21.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:372nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:10400pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTM100DSK35T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:420 毫欧 @ 11A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:186nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5200pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTM100DDA35T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:420 毫欧 @ 11A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:186nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5200pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTM100DAM90G 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 78A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:78A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:105 毫欧 @ 39A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:744nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:20700pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM100DA40T1G 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 20A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:480 毫欧 @ 16A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:260nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6800pF @ 25V 功率 - 最大值:357W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTM100SK33T1G APTM100SK40T1G APTM100SKM90G APTM100TA35FPG APTM100TA35SCTPG APTM100TDU35PG APTM100U13SG APTM100UM45DAG APTM100UM45FAG APTM100UM60FAG APTM100UM65DAG APTM100UM65SAG APTM100UM65SCAVG APTM10AM02FG APTM10AM05FTG APTM10DAM02G APTM10DAM05TG APTM10DDAM09T3G