APTM50HM35F

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APTM50HM35FG
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
SP6
17+
-
全新原装现货

APTM50HM35F
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
500
isc,iscsemi
S108X62-12L
2024+
-
国产品牌，可替代原装

APTM50HM35FG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
17+
-
瑞智芯只有原装

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1

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制造商
ADPOW
制造商全称
Advanced Power Technology
功能描述
Full - Bridge MOSFET Power Module

APTM50HM35F 技术参数

APTM50H15FT1G 功能描述:MOSFET 4N-CH 500V 25A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:4 个 N 通道（H 桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 21A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:170nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5448pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTM50H14FT3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 500V 26A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:4 个 N 通道（H 桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:26A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:168 毫欧 @ 13A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3259pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTM50H10FT3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:4 个 N 通道（H 桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:37A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 18.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:96nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4367pF @ 25V 功率 - 最大值:312W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTM50DUM38TG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:90A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 毫欧 @ 45A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:246nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:11200pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTM50DUM35TG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:99A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:280nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:14000pF @ 25V 功率 - 最大值:781W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTM50SKM19G APTM50SKM35TG APTM50SKM38TG APTM50TAM65FPG APTM50TDUM65PG APTM50UM09FAG APTM50UM13SAG APTM50UM19SG APTM50UM25SG APTM60A11FT1G APTM60A23FT1G APTM60H23FT1G APTMC120AM08CD3AG APTMC120AM09CT3AG APTMC120AM12CT3AG APTMC120AM16CD3AG APTMC120AM20CT1AG APTMC120AM25CT3AG