B82464Z4333M

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说明
操作

B82464Z4333M
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
EPCOS
标准封装
07+
-
全新原装100%正品保证质量

B82464Z4333M
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
6000
EPCOS (TDK)
标准封装
16+
-
假一罚十，百分百正品

B82464Z4333M
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
EPCOS
标准封装
07+
-

B82464Z4333M
深圳市金嘉旭贸易有限公司
深圳市金嘉旭贸易有限公司
联系人：金
电话：0755-832599640755-23884416
地址：中航北苑A座7A5
4413
EPCO
N/A
18+
-
进口原装特价出售

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功能描述
固定电感器 SMT-INDUCTOR 10X10 33uH 1.6A
RoHS
否
制造商
AVX
电感
10 uH
容差
20 %
最大直流电流
1 A
最大直流电阻
0.075 Ohms
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
自谐振频率
38 MHz
Q 最小值
40
尺寸
4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H
屏蔽
Shielded
端接类型
SMD/SMT
封装 / 箱体
6.6 mm x 4.45 mm

B82464Z4333M 技术参数

B82464Z4332M 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 5.5A 12 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464Z4 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:3.3μH 容差:±20% 额定电流:5.5A 电流 - 饱和值:5.9A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:12 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.409" 长 x 0.409" 宽（10.40mm x 10.40mm）高度 - 安装（最大值）:0.189"（4.80mm）标准包装:1 B82464Z4224M 功能描述:220μH Shielded Wirewound Inductor 700mA 440 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464Z4 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:220μH 容差:±20% 额定电流:700mA 电流 - 饱和值:750mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:440 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.409" 长 x 0.409" 宽（10.40mm x 10.40mm）高度 - 安装（最大值）:0.189"（4.80mm）标准包装:1 B82464Z4223M 功能描述:22μH Shielded Wirewound Inductor 2.25A 52 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464Z4 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:22μH 容差:±20% 额定电流:2.25A 电流 - 饱和值:2.5A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:52 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.409" 长 x 0.409" 宽（10.40mm x 10.40mm）高度 - 安装（最大值）:0.189"（4.80mm）标准包装:1 B82464Z4222M 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 6.5A 10 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464Z4 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:6.5A 电流 - 饱和值:7A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:10 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.409" 长 x 0.409" 宽（10.40mm x 10.40mm）高度 - 安装（最大值）:0.189"（4.80mm）标准包装:1 B82464Z4154M 功能描述:150μH Shielded Wirewound Inductor 850mA 320 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464Z4 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:150μH 容差:±20% 额定电流:850mA 电流 - 饱和值:900mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:320 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.409" 长 x 0.409" 宽（10.40mm x 10.40mm）高度 - 安装（最大值）:0.189"（4.80mm）标准包装:1 B82466G152M B82466G153M B82466G222M B82466G223M B82466G272M B82466G332M B82466G472M B82466G561M B82466G682M B82467G102M B82467G103M B82467G152M B82467G153M B82467G222M B82467G223M B82467G332M B82467G472M B82467G501M