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B82468A4103M

配单专家企业名单
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  • B82468A4103M
    B82468A4103M

    B82468A4103M

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 6000

  • EPCOS (TDK)

  • 标准封装

  • 16+

  • -
  • 假一罚十,百分百正品

  • B82468A4103M
    B82468A4103M

    B82468A4103M

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • EPCOS

  • SMD

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

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  • 1
B82468A4103M PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 固定电感器 3.2x3.2mm 10uH 0.75A
  • RoHS
  • 制造商
  • AVX
  • 电感
  • 10 uH
  • 容差
  • 20 %
  • 最大直流电流
  • 1 A
  • 最大直流电阻
  • 0.075 Ohms
  • 工作温度范围
  • - 40 C to + 85 C
  • 自谐振频率
  • 38 MHz
  • Q 最小值
  • 40
  • 尺寸
  • 4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H
  • 屏蔽
  • Shielded
  • 端接类型
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • 6.6 mm x 4.45 mm
B82468A4103M 技术参数
  • B82468A4102M 功能描述:1μH Unshielded Wirewound Inductor 1.95A 51 mOhm Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82468A4 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:1μH 容差:±20% 额定电流:1.95A 电流 - 饱和值:2.7A 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻(DCR):51 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.118" 长 x 0.118" 宽(3.00mm x 3.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.055"(1.40mm) 标准包装:1 B82467G682M 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 670mA 290 mOhm Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82467G0 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:6.8μH 容差:±20% 额定电流:670mA 电流 - 饱和值:580mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):290 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.110" 长 x 0.102" 宽(2.80mm x 2.60mm) 高度 - 安装(最大值):0.039"(1.00mm) 标准包装:1 B82467G501M 功能描述:500nH Shielded Wirewound Inductor 2.25A 30 mOhm Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82467G0 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:500nH 容差:±20% 额定电流:2.25A 电流 - 饱和值:2A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):30 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.110" 长 x 0.102" 宽(2.80mm x 2.60mm) 高度 - 安装(最大值):0.039"(1.00mm) 标准包装:1 B82467G472M 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 800mA 215 mOhm Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82467G0 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:4.7μH 容差:±20% 额定电流:800mA 电流 - 饱和值:675mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):215 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.110" 长 x 0.102" 宽(2.80mm x 2.60mm) 高度 - 安装(最大值):0.039"(1.00mm) 标准包装:1 B82467G332M 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 930mA 165 mOhm Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82467G0 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:3.3μH 容差:±20% 额定电流:930mA 电流 - 饱和值:775mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):165 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.110" 长 x 0.102" 宽(2.80mm x 2.60mm) 高度 - 安装(最大值):0.039"(1.00mm) 标准包装:1 B82469G1152M B82469G1153M B82469G1222M B82469G1223M B82469G1332M B82469G1391M B82469G1472M B82469G1682M B82469G1911M B82470A1102M B82470A1103M B82470A1122M B82470A1153M B82470A1222M B82470A1223M B82470A1332M B82470A1333M B82470A1472M
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