B82477-G4103-M

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B82477-G4103-M 技术参数

B82477G4103M 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 5.4A 22 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477G4 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:10μH 容差:±20% 额定电流:5.4A 电流 - 饱和值:6.4A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:22 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.504" 长 x 0.504" 宽（12.80mm x 12.80mm）高度 - 安装（最大值）:0.315"（8.00mm）标准包装:1 B82477G4102M 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 9.8A 7 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477G4 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:1μH 容差:±20% 额定电流:9.8A 电流 - 饱和值:15A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:7 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.504" 长 x 0.504" 宽（12.80mm x 12.80mm）高度 - 安装（最大值）:0.315"（8.00mm）标准包装:1 B82477G2684M000 功能描述:FIXED IND 680UH 480MA 1.2 OHM 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477G2 包装:带卷（TR）零件状态:在售类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:680μH 容差:±20% 额定电流:480mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:1.2 欧姆最大不同频率时的 Q 值:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准供应商器件封装:- 大小/尺寸:0.484" 长 x 0.484" 宽（12.30mm x 12.30mm）高度 - 安装（最大值）:0.236"（6.00mm）标准包装:600 B82477G2684M 功能描述:680μH Shielded Wirewound Inductor 480mA 1.2 Ohm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477G2 包装:带卷（TR）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:680μH 容差:±20% 额定电流:480mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:1.2 欧姆最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.484" 长 x 0.484" 宽（12.30mm x 12.30mm）高度 - 安装（最大值）:0.236"（6.00mm）标准包装:600 B82477G2683M000 功能描述:FIXED IND 68UH 1.5A 120 MOHM SMD 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477G2 包装:带卷（TR）零件状态:在售类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:68μH 容差:±20% 额定电流:1.5A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:120 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准供应商器件封装:- 大小/尺寸:0.484" 长 x 0.484" 宽（12.30mm x 12.30mm）高度 - 安装（最大值）:0.236"（6.00mm）标准包装:600 B82477G4334M B82477G4392M B82477G4472M B82477G4473M B82477G4474M B82477G4562M B82477G4652M B82477G4652M000 B82477G4682M B82477G4683M B82477G4684M B82477G4702M B82477G4823M B82477P2102M B82477P2102M000 B82477P2103M B82477P2103M000 B82477P2104M