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BARE

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您是不是要找： BAR-J-22 BARO-A-4V-REF-PRIME BAS 125-06W E6327 BAS 16 B5003 BAS 16-02V E6327 BAS 16-02W E6327 BAS 16-07L4 E6327 BAS 3005A-02V E6327 BAS 3005A-02V H6327

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BARE 技术参数

BAR90098LRHE6327XTSA1 功能描述:RF Diode PIN - 2 Independent 80V 100mA 250mW PG-TSLP-4 (1.2x0.8) 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:PIN - 2 个独立电压 - 峰值反向（最大值）:80V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:800 毫欧 @ 10mA，100MHz 功率耗散（最大值）:250mW 封装/外壳:4-XFDFN 供应商器件封装:PG-TSLP-4（1.2x0.8）标准包装:15,000 BAR9002LSE6327XTSA1 功能描述:RF Diode PIN - Single 80V 100mA 150mW PG-TSSLP-2 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期二极管类型:PIN - 单电压 - 峰值反向（最大值）:80V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:800 毫欧 @ 10mA，100MHz 功率耗散（最大值）:150mW 封装/外壳:2-XFDFN 供应商器件封装:PG-TSSLP-2 标准包装:1 BAR9002LRHE6327XTSA1 功能描述:RF Diode PIN - Single 80V 100mA 250mW PG-TSLP-2 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期二极管类型:PIN - 单电压 - 峰值反向（最大值）:80V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:800 毫欧 @ 10mA，100MHz 功率耗散（最大值）:250mW 封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:PG-TSLP-2 标准包装:1 BAR9002ELSE6327XTSA1 功能描述:RF Diode PIN - Single 80V 100mA 250mW PG-TSSLP-2-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:PIN - 单电压 - 峰值反向（最大值）:80V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:800 毫欧 @ 10mA，100MHz 功率耗散（最大值）:250mW 封装/外壳:2-XFDFN 供应商器件封装:PG-TSSLP-2-3 标准包装:15,000 BAR9002ELE6327XTMA1 功能描述:RF Diode PIN - Single 80V 100mA 250mW TSLP-2-19 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:PIN - 单电压 - 峰值反向（最大值）:80V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:800 毫欧 @ 10mA，100MHz 功率耗散（最大值）:250mW 封装/外壳:2-XDFN 供应商器件封装:TSLP-2-19 标准包装:1 BAS 3005B-02V E6327 BAS 3005B-02V H6327 BAS 3007A-RPP E6327 BAS 3010S-02LRH E6327 BAS 3020B E6327 BAS 40 B5003 BAS 40 E6327 BAS 4002A RPP E6327 BAS 40-04 B5003 BAS 40-04 E6327 BAS 40-05 B5003 BAS 40-05 E6327 BAS 40-06 B5003 BAS 40-07 B6327 BAS 52-02V E6327 BAS 52-02V E6433 BAS 52-02V H6327 BAS 70 B5003