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BARW 技术参数
  • BARO-A-4V-REF-PRIME 功能描述:Pressure Sensor 8.7 PSI ~ 15.95 PSI (60 kPa ~ 110 kPa) Absolute Male - 0.19" (4.83mm) Tube, Dual 0 V ~ 4.25 V 4-SIP 制造商:all sensors corporation 系列:- 零件状态:过期 压力类型:绝对 工作压力:8.7 PSI ~ 15.95 PSI(60 kPa ~ 110 kPa) 输出类型:模拟电压 输出:0 V ~ 4.25 V 精度:±2% 电压 - 电源:5.5 V ~ 16 V 端口尺寸:公型 - 0.19"(4.83mm) 双管 端口样式:无倒钩 特性:温度补偿 端子类型:* 最高压力:60 PSI(413.69 kPa) 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:4-SIP 供应商器件封装:- 标准包装:1 BAR90098LRHE6327XTSA1 功能描述:RF Diode PIN - 2 Independent 80V 100mA 250mW PG-TSLP-4 (1.2x0.8) 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 二极管类型:PIN - 2 个独立 电压 - 峰值反向(最大值):80V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr,F 时的电容:0.35pF @ 1V,1MHz 不同?If,F 时的电阻:800 毫欧 @ 10mA,100MHz 功率耗散(最大值):250mW 封装/外壳:4-XFDFN 供应商器件封装:PG-TSLP-4(1.2x0.8) 标准包装:15,000 BAR9002LSE6327XTSA1 功能描述:RF Diode PIN - Single 80V 100mA 150mW PG-TSSLP-2 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 二极管类型:PIN - 单 电压 - 峰值反向(最大值):80V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr,F 时的电容:0.35pF @ 1V,1MHz 不同?If,F 时的电阻:800 毫欧 @ 10mA,100MHz 功率耗散(最大值):150mW 封装/外壳:2-XFDFN 供应商器件封装:PG-TSSLP-2 标准包装:1 BAR9002LRHE6327XTSA1 功能描述:RF Diode PIN - Single 80V 100mA 250mW PG-TSLP-2 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 二极管类型:PIN - 单 电压 - 峰值反向(最大值):80V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr,F 时的电容:0.35pF @ 1V,1MHz 不同?If,F 时的电阻:800 毫欧 @ 10mA,100MHz 功率耗散(最大值):250mW 封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:PG-TSLP-2 标准包装:1 BAR9002ELSE6327XTSA1 功能描述:RF Diode PIN - Single 80V 100mA 250mW PG-TSSLP-2-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:PIN - 单 电压 - 峰值反向(最大值):80V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr,F 时的电容:0.35pF @ 1V,1MHz 不同?If,F 时的电阻:800 毫欧 @ 10mA,100MHz 功率耗散(最大值):250mW 封装/外壳:2-XFDFN 供应商器件封装:PG-TSSLP-2-3 标准包装:15,000 BAS 3007A-RPP E6327 BAS 3010S-02LRH E6327 BAS 3020B E6327 BAS 40 B5003 BAS 40 E6327 BAS 4002A RPP E6327 BAS 40-04 B5003 BAS 40-04 E6327 BAS 40-05 B5003 BAS 40-05 E6327 BAS 40-06 B5003 BAS 40-07 B6327 BAS 52-02V E6327 BAS 52-02V E6433 BAS 52-02V H6327 BAS 70 B5003 BAS 70 E6327 BAS 70-02W E6327
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