BC858WA

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BC858WA 技术参数

BC858W,135 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT323 制造商:nxp semiconductors 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:125 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:10,000 BC858W,115 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:125 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323-3 基本零件编号:BC858 标准包装:1 BC858CWH6327XTSA1 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT323 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:上次购买时间晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:PG-SOT323-3 标准包装:3,000 BC858CW-G 功能描述:TRANS PNP 30V 100MA SOT323 制造商:comchip technology 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:3,000 BC858CWE6327BTSA1 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:420 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:PG-SOT323-3 标准包装:3,000 BC859C,235 BC859CE6327HTSA1 BC859CLT1 BC859CLT1G BC859CMTF BC859CW,115 BC859CW,135 BC859CW/ZLF BC859CW/ZLX BC860AMTF BC860B,215 BC860B,235 BC860BE6327HTSA1 BC860BMTF BC860BW,115 BC860BW,135 BC860BWE6327HTSA1 BC860BWH6327XTSA1