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BC859-A

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  • BC859-AH
    BC859-AH

    BC859-AH

  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505(京北通宇)

    资质:营业执照

  • 900

  • ST(先科)

  • NA

  • 23+

  • -
  • 小信号晶体管

  • BC859-A-RTK
    BC859-A-RTK

    BC859-A-RTK

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • KEC

  • 原厂封装

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BC859-A 技术参数
  • BC858W,135 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT323 制造商:nxp semiconductors 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):125 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:10,000 BC858W,115 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):125 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SOT-323-3 基本零件编号:BC858 标准包装:1 BC858CWH6327XTSA1 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT323 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:上次购买时间 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:PG-SOT323-3 标准包装:3,000 BC858CW-G 功能描述:TRANS PNP 30V 100MA SOT323 制造商:comchip technology 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:3,000 BC858CWE6327BTSA1 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:PG-SOT323-3 标准包装:3,000 BC859C,235 BC859CE6327HTSA1 BC859CLT1 BC859CLT1G BC859CMTF BC859CW,115 BC859CW,135 BC859CW/ZLF BC859CW/ZLX BC860AMTF BC860B,215 BC860B,235 BC860BE6327HTSA1 BC860BMTF BC860BW,115 BC860BW,135 BC860BWE6327HTSA1 BC860BWH6327XTSA1
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