BFG590.

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
TRANSISTOR NPN RF SOT-143

BFG590. 技术参数

BFG590,215 功能描述:RF Transistor NPN 15V 200mA 5GHz 400mW Surface Mount SOT-143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:400mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 70mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:SOT-143B 标准包装:3,000 BFG541,115 功能描述:TRANS NPN 15V 9GHZ SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:9GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz 增益:- 功率 - 最大值:650mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 40mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:120mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SC-73 标准包装:1 BFG540W/XR,135 功能描述:TRANS RF NPN 9GHZ 15V SOT343R 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:9GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz 增益:- 功率 - 最大值:500mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 40mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:120mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:CMPAK-4 标准包装:1 BFG540W/X,115 功能描述:TRANS WIDEBAND 9GHZ SOT-343 15V 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:9GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz 增益:- 功率 - 最大值:500mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 40mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:120mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:CMPAK-4 标准包装:1 BFG540W,115 功能描述:TRANS RF NPN 15V 9GHZ SOT343N 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:9GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz 增益:- 功率 - 最大值:500mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 40mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:120mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-343 反向插针供应商器件封装:4-SO 标准包装:1 BFG97,115 BFG97,135 BFH 2A-12 BFH000-3A/T BFH14S1P002 BFH16S1P002 BFH181P002 BFH2040857 BFH2219P002 BFH2220P002 BFH2410P002 BFH2410PW002 BFH2428P002 BFH2812P002 BFH-2A-05 BFH-2A-05C BFH-2A-05E BFH-2A-12C