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BS-C503RD

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制造商
BRIGHT
制造商全称
BRIGHT LED ELECTRONICS CORP
功能描述
12.70mm (0.50) high single digit seven segments display.

BS-C503RD 技术参数

BSC500N20NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:24A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 mOhm @ 22A、 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 60μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1580pF @ 100V 功率 - 最大值:96W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8（5.15x6.15）标准包装:1 BSC440N10NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 18A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.3A（Ta），18A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:44 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 12μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:810pF @ 50V 功率 - 最大值:29W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC360N15NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:150V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:33A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:36 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 45μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1190pF @ 75V 功率 - 最大值:74W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC350N20NSFDATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 35A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 90μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:30nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2410pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:35 毫欧 @ 35A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSC340N08NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 23A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Ta），23A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:34 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 12μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9.1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:756pF @ 40V 功率 - 最大值:32W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC883N03MSGATMA1 BSC884N03MS G BSC886N03LSGATMA1 BSC889N03LSGATMA1 BSC889N03MSGATMA1 BSC900N20NS3 G BSC900N20NS3GATMA1 BSC9131NJE7HHHB BSC9131NJN1HHHB BSC9131NJN7HHHB BSC9131NLE7HHHB BSC9131NLN1HHHB BSC9131NSE7KHKB BSC9131NSN1KHKB BSC9131NSN7KHKB BSC9131NXE7KHKB BSC9131NXN1KHKB BSC9131NXN7KHKB