BSB019N03LXG(1003)

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BSB019N03LXG(1003)
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
638850
InfineonT
2WDSON
最新批次
-
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BSB019N03LXG(1003)
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
2550
INFINEONT
2WDSON
08+
-
全新原装现货

BSB019N03LXG(1003)
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
InfineonT
2WDSON
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

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BSB019N03LXG(1003) 技术参数

BSB019N03LX G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 174A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:32A（Ta），174A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.9 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:92nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8400pF @ 15V 功率 - 最大值:89W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2，CanPAK M? 标准包装:5,000 BSB017N03LX3 G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 147A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:32A（Ta），147A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.7 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:102nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7800pF @ 15V 功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2，CanPAK M? 标准包装:1 BSB01703HA3-00CAJ 功能描述:17X17X3MM 3V DC FAN, W/SPEED SEN 制造商:delta electronics 系列:- 零件状态:在售电压 - 额定:3VDC 大小/尺寸:方形 - 17mm 长 x 17mm 高宽度:3.40mm 气流:0.230 CFM（0.006m3/min）静压力:0.182 英寸水柱（45.3 Pa）轴承类型:套管风扇类型:鼓风机特性:转子锁定保护噪声:26.5 dB（A）功率（W）:180mW RPM:12000 RPM 端接:3 位置矩形连接器侵入防护:- 工作温度:14 ~ 140°F （-10 ~ 60°C）认可:- 重量:0.003 磅（1.36g）额定电流:0.060A 电压范围:2 ~ 3.5VDC 材料 - 框架:塑料材料 - 刀片:塑料不同温度时的使用寿命:40°C 时为 30000 小时标准包装:322 BSB015N04NX3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:36A（Ta），180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:142nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:12000pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），89W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.5 毫欧 @ 30A，10V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:MG-WDSON-2，CanPAK M? 封装/外壳:3-WDSON 标准包装:1 BSB015N04NX3 G 功能描述:MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:36A（Ta），180A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.5 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:142nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:12000pF @ 20V 功率 - 最大值:89W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2，CanPAK M? 标准包装:1 BSB1270002 BSB1270003 BSB165N15NZ3 G BSB165N15NZ3GXUMA1 BSB280N15NZ3GXUMA1 BSC009NE2LS BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSIATMA1 BSC010N04LSTATMA1 BSC010NE2LS BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSI BSC010NE2LSIATMA1 BSC011N03LS BSC011N03LSATMA1