配单专家企业名单

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封装
批号
价格
说明
操作

BSM181F
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：陈先生13360533550
电话：0755-838679890755-82795565
地址：深圳公司：深圳市福田区华富路航都大厦11F
资质：营业执照
15261
INFINEON/英飞凌
MODULE
22+
-
原厂原装现货

BSM181FR
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
5000
进口
全新特价
-
假一罚十，百分百原装正品

BSM181F
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
?EUPEC
?180A/IGBT
-
假一罚十，百分百原装正品

BSM181F
深圳市鹏展胜电子有限公司
深圳市鹏展胜电子有限公司
联系人：林先生
电话：0755-8276920313538142003
地址：深圳市福田区华强北街道佳和大厦A座2801
资质：营业执照
500
EUPEC
原厂原装
18+
-
专营原装正品，价钱实惠，有现货，联系电话...

BSM181F
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园4栋中6楼6B01
69880
EUPEC
MODULE
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

BSM181F
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
170
EUPEC
180A/IGBT
2024+
-
全新现货价格优势

BSM181F
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：杨先生
电话：0755-23603360832114658325800283223169
地址：门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
163
SIEMENS
模块
2010+
-
香港原装现货 3-5天

BSM181F
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
eupec
MODULE
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BSM181F
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：廖R
电话：13163738578
地址：龙岗区坂田五和大道山海大厦c 栋707
9000
SIEMENS
原厂原装
19+
-
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险

BSM181F
永利电子元器件深圳有限公司
永利电子元器件深圳有限公司
联系人：全迎
电话：1892843782715626510689杨小姐
地址：华强路汇商中心
10000
SIEMENS
原厂原装
21+
-
只做原装正品

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制造商
INFINEON
制造商全称
Infineon Technologies AG
功能描述
SIMOPAC Module (Power module Single switch FREDFET N channel Enhancement mode)

BSM181F 技术参数

BSM180D12P3C007 功能描述:SIC POWER MODULE 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5.6V @ 50mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:900pF @ 10V 功率 - 最大值:880W 工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:12 BSM180D12P2C101 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 35.2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:23000pF @ 10V 功率 - 最大值:1130W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:* 封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:12 BSM150GD60DLC 功能描述:IGBT BSM150GD60DLCBOSA1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:停產 IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:180A 功率 - 最大值:570W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.45V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.5nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无工作温度:150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:10 BSM150GB60DLCHOSA1 功能描述:IGBT MODULE 600V 180A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:180A 功率 - 最大值:595W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.45V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.5nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:10 BSM120D12P2C005 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 22mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:14000pF @ 10V 功率 - 最大值:780W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:* 封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:12 BSM35GP120 BSM35GP120BOSA1 BSM50GB170DN2HOSA1 BSM50GB60DLCHOSA1 BSM50GD120DN2G BSM50GP120 BSM50GP120BOSA1 BSM6-L BSM6-X BSM75GB170DN2HOSA1 BSM75GB60DLCHOSA1 BSMN1-3K BSMN2-3K BSMV1BX-CY BSMV1BX-L BSMV1BX-LY BSMV1BX-XY BSMV2BX-C