BSM50GD120DN2G全国供应商 BSM50GD120DN2G资料|PDF Datasheet|价格【Infineon 英飞凌】

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BSM50GD120DN2G
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：杨先生
电话：0755-23603360832114658325800283223169
地址：门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
123
EUPEC
模块
2010+
-
香港原装现货 3-5天

BSM50GD120DN2G
深圳市鹏展胜电子有限公司
深圳市鹏展胜电子有限公司
联系人：林先生
电话：0755-8276920313538142003
地址：深圳市福田区华强北街道佳和大厦A座2801
资质：营业执照
500
EUPEC
原厂原装
18+
-
专营原装正品，价钱实惠，有现货，联系电话...

BSM50GD120DN2G
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
美国/日本
原厂标准封装
0831+
-
假一罚十，百分百原装正品

BSM50GD120DN2G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
INFINEON
1521+
-
全新原装现货

BSM50GD120DN2G
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
250
EUPEC
50A/1200V/IGBT/6U
2024+
-
全新现货价格优势

BSM50GD120DN2G
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
INFINEON
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BSM50GD120DN2G
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-8378920313332987005
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
36200
eupec
原厂原装
18+
-
原装现货，优势供应

BSM50GD120DN2G
昆山开发区美科微电子商行
昆山开发区美科微电子商行
联系人：易春花
电话：18951125455
地址：开发区朝阳东路99号3号房2楼
5000
英飞凌/Infineon
QFP
19+
-
一级代理现货直销

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1

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功能描述
IGBT 模块 1200V 50A 3-PHASE
RoHS
否
制造商
Infineon Technologies
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
230 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
功率耗散
445 W
最大工作温度
+ 125 C
封装 / 箱体
34MM
封装

BSM50GD120DN2G 技术参数

BSM50GB60DLCHOSA1 功能描述:IGBT MODULE 600V 75A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:280W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:2.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:10 BSM50GB170DN2HOSA1 功能描述:IGBT Module Half Bridge 1700V 72A 500W Chassis Mount Module 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:上次购买时间 IGBT 类型:- 配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:72A 功率 - 最大值:500W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:8nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:10 BSM35GP120BOSA1 功能描述:IGBT MODULE 1200V 35A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:45A 功率 - 最大值:230W 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.5nF @ 25V 输入:- NTC 热敏电阻:是工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:10 BSM35GP120 功能描述:IGBT MODULE 1200V 35A 制造商:infineon technologies industrial power and controls americas 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:45A 功率 - 最大值:230W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:* 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.5nF @ 25V 输入:- NTC 热敏电阻:是工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:10 BSM35GD120DN2 功能描述:IGBT BSM35GD120DN2BOSA1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:停產 IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50A 功率 - 最大值:280W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，35A 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无工作温度:150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:10 BSMV1BX-L BSMV1BX-LY BSMV1BX-XY BSMV2BX-C BSMV2BX-M BSMV2BX-X BSMV6X-L BSMV6X-Q BSMV6X-X BSN10-2K BSN10-D BSN10-E BSN10-L BSN14-3K BSN14-C BSN14-E BSN14-M BSN18-3K