您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > B字母型号搜索 >

BSR33.115

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作

没找到与 " BSR33.115 " 相关的供应商

您可以:

1. 缩短或修改您的搜索词,重新搜索

2. 发布紧急采购,3分钟左右您将得到回复 发布紧急采购

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
BSR33.115 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
BSR33.115 技术参数
  • BSR33,135 功能描述:TRANS PNP 80V 1A SOT89 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:1.35W 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 基本零件编号:BSR33 标准包装:1 BSR33,115 功能描述:TRANS PNP 80V 1A SOT89 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:1.35W 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 基本零件编号:BSR33 标准包装:1 BSR31TA 功能描述:TRANS PNP 60V 1A SOT-89 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:Digi-Reel? 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 标准包装:1 BSR316PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 100V 0.36A SC-59 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷(TR) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):360mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.8 欧姆 @ 360mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 170μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):165pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SC-59 标准包装:3,000 BSR316PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):360mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.8 欧姆 @ 360mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 170μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):165pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SC-59 标准包装:1 BSR56 BSR56,215 BSR57 BSR57,215 BSR58 BSR58,215 BSR58LT1G BSR606NH6327XTSA1 BSR802N L6327 BSR802NL6327HTSA1 BSR92PH6327XTSA1 BSR92PL6327HTSA1 BSS-016-01-F-D-DP-EM2 BSS-016-01-H-D-DP-EM2 BSS-016-01-L-D-DP-EM2 BSS-025-01-C-D-A BSS-025-01-C-D-A-TR BSS-025-01-F-D
配单专家

在采购BSR33.115进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买BSR33.115产品风险,建议您在购买BSR33.115相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的BSR33.115信息由会员自行提供,BSR33.115内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号