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BSS62
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
PH
CAN
02+
-
假一罚十，百分百原装正品

BSS62
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
5009
PH
CAN3
23+
-
原厂原装正品现货

BSS62
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：李小姐
电话：18229386512
地址：上步工业区501栋410室
20000
PHILIPS/飞利浦
CAN3
23+
-
原装正品欢迎咨询

BSS62
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
5000
PHI
CAN3
15+
-
原装正品，假一罚十

BSS62
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
9331
PH
CAN
12+
-
绝对公司原装现货

BSS62
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
PHI
CAN3
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BSS62
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3746
PHI
CAN3
2228+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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制造商
PHILIPS
制造商全称
NXP Semiconductors
功能描述
PNP Darlington transistors

BSS62 技术参数

BSS606NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 15μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.6nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:657pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PG-SOT89 标准包装:1 BSS44 功能描述:TRANS PNP 60V 5A TO-39 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 500mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 2A，2V 功率 - 最大值:870mW 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装:TO-39 标准包装:100 BSS340NWH6327XTSA1 功能描述:SMALL SIGNAL+P-CH 制造商:infineon technologies 系列:* 零件状态:在售标准包装:3,000 BSS316NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.4A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:160 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 3.7μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.6nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:94pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:3,000 BSS316NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 3.7μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.6nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:94pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:160 毫欧 @ 1.4A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-SOT23-3 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6433XTMA1 BSS670S2LL6327HTSA1 BSS7728N BSS7728NH6327XTSA1 BSS7728NH6327XTSA2 BSS7728NL6327HTSA1 BSS79C BSS806N H6327 BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 BSS806NL6327HTSA1 BSS816NW L6327 BSS816NWH6327XTSA1 BSS83,215 BSS83,235 BSS83P H6327 BSS83PE6327

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