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BSS7728NIN

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BSS7728NIN 技术参数
  • BSS7728NH6327XTSA2 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:* 零件状态:有效 标准包装:3,000 BSS7728NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:Not For New Designs FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):200mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 26μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):56pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BSS7728N 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):200mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 26μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):56pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BSS670S2LL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):540mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):650 毫欧 @ 270mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 2.7μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):2.26nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):75pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:3,000 BSS670S2LH6433XTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:* 零件状态:有效 标准包装:10,000 BSS83,235 BSS83P H6327 BSS83PE6327 BSS83PH6327XTSA1 BSS83PL6327HTSA1 BSS84 BSS84,215 BSS84_D87Z BSS8402DW-7 BSS8402DW-7-F BSS8402DWQ-7 BSS84-7 BSS84-7-F BSS84AK,215 BSS84AK-BR BSS84AKM,315 BSS84AKMB,315 BSS84AKS,115
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