BSS84N3

配单专家企业名单

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说明
操作

BSS84N3
深圳成德兴科技有限公司
深圳成德兴科技有限公司
联系人：马庆勇
电话：0755-82567711
地址：深南中路佳和电子大厦（华强三店）三楼3C072室
资质：营业执照
18630
CYS
SOT-23
22+
-
原装现货可含税样品可拆

BSS84N3
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
8650000
CYSTEKEC
SOT-23
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BSS84N3
深圳市德会鑫科技有限公司
深圳市德会鑫科技有限公司
联系人：欧阳
电话：18672855211
地址：深圳市福田区华强北街道上步工业区 23 栋上航大厦 410-U
9512
CYSTEKEC
SOT-23
22+
-
原厂原装，优惠热卖

BSS84N3
深圳市泽芯微科技有限公司
深圳市泽芯微科技有限公司
联系人：柯小姐
电话：0755-8273028382732023
地址：中航路新亚洲国利大厦A座24层12室
3000
cystekec
sot23
13+
-
进口原装现货，一定自己库存

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BSS84N3 技术参数

BSS84LT1G 功能描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:130mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 欧姆 @ 100mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:30pF @ 5V 功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:1 BSS84LT1 功能描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:130mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 欧姆 @ 100mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:30pF @ 5V 功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:10 BSS84DW-7-F 功能描述:MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:130mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 欧姆 @ 100mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:45pF @ 25V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:1 BSS84DW-7 功能描述:MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:130mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 欧姆 @ 100mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:45pF @ 25V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:3,000 BSS84AKW-BX 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 50V 150MA SC70 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 零件状态:停產 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:150mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.35nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:36pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:830mW（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 100mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:SC-70 封装/外壳:SC-70，SOT-323 标准包装:3,000 BSS84PW L6327 BSS84PWH6327XTSA1 BSS84TA BSS84TC BSS84V-7 BSS84W-7 BSS84W-7-F BSS84WQ-7-F BSS87 E6433 BSS87,115 BSS87E6327 BSS87E6327T BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327XTSA1 BSS87L6327HTSA1 BS-SA7024 BST-108-08-G-D-230-RA BST110V