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BSS84PH6327/SN

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  • 深圳市海天鸿电子科技有限公司
    深圳市海天鸿电子科技有限公司

    联系人:彭小姐、刘先生、李小姐

    电话:0755-82552857-80913528851884(周日专线)

    地址:深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号

    资质:营业执照

  • 7500

  • INFINEON

  • 原厂原装

  • 1706+

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  • 只做原装 一手货源,代理商分销库存

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BSS84PH6327/SN 技术参数
  • BSS84P-E6327 功能描述:MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):170mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8 欧姆 @ 170mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):19pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BSS84P H6327 功能描述:MOSFET P-CH 60V 0.17A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):170mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8 欧姆 @ 170mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):19pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:3,000 BSS84P E6433 功能描述:MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):170mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8 欧姆 @ 170mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 20μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):19pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:10,000 BSS84LT1G 功能描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):50V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):130mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10 欧姆 @ 100mA,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):30pF @ 5V 功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 标准包装:1 BSS84LT1 功能描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):50V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):130mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10 欧姆 @ 100mA,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):30pF @ 5V 功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 标准包装:10 BSS84TC BSS84V-7 BSS84W-7 BSS84W-7-F BSS84WQ-7-F BSS87 E6433 BSS87,115 BSS87E6327 BSS87E6327T BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327XTSA1 BSS87L6327HTSA1 BS-SA7024 BST-108-08-G-D-230-RA BST110V BST-12/125-D12-C BST-12/125-D48-C BST-136-08-G-D-230-RA
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