您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > B字母型号搜索 > B字母第1546页 >

BSZ088N03LSGATMA1

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • BSZ088N03LSGATMA1
    BSZ088N03LSGATMA1

    BSZ088N03LSGATMA1

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • PG-TSDSON-8(3.3x3.3)

  • 19+

  • -
  • 代理直销!进口原装正品!

  • BSZ088N03LSGATMA1
    BSZ088N03LSGATMA1

    BSZ088N03LSGATMA1

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • BSZ088N03LSGATMA1
    BSZ088N03LSGATMA1

    BSZ088N03LSGATMA1

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Infineon Technologies

  • PG-TSDSON-8

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • BSZ088N03LSGATMA1
    BSZ088N03LSGATMA1

    BSZ088N03LSGATMA1

  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505(京北通宇)

    资质:营业执照

  • 0

  • INFINEON

  • NA

  • 23+

  • -
  • 功率MOSFET

  • BSZ088N03LSGATMA1
    BSZ088N03LSGATMA1

    BSZ088N03LSGATMA1

  • 中山市翔美达电子科技有限公司
    中山市翔美达电子科技有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室

  • 6000

  • 英飞凌

  • NA

  • 19+

  • -
  • 公司全新原装正品,QQ153058080...

  • BSZ088N03LSGATMA1
    BSZ088N03LSGATMA1

    BSZ088N03LSGATMA1

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原厂封装

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • BSZ088N03LSGATMA1
    BSZ088N03LSGATMA1

    BSZ088N03LSGATMA1

  • 深圳市大源实业科技有限公司
    深圳市大源实业科技有限公司

    联系人:李女士

    电话:1530261991513762584085

    地址:深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室

  • 2500

  • INFINEO

  • PG-TSDS

  • 22+

  • -
  • 公司原装现货,可订货,有单来谈QQ:16...

  • BSZ088N03LSGATMA1
    BSZ088N03LSGATMA1

    BSZ088N03LSGATMA1

  • 深圳市正永电子有限公司
    深圳市正永电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-23930354

    地址:中航路都会轩3607

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • PG-TSDSON-8(3.3x3.3)

  • 19+

  • -
  • 代理直销!进口原装正品!

  • BSZ088N03LSGATMA1
    BSZ088N03LSGATMA1

    BSZ088N03LSGATMA1

  • 科创特电子(香港)有限公司
    科创特电子(香港)有限公司

    联系人:

    电话:0755-83014603

    地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 5000

  • INFINEON

  • 主营优势

  • 19+

  • -
  • 100%原装正品★终端免费供样★

  • 1/1页 40条/页 共14条 
  • 1
BSZ088N03LSGATMA1 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
BSZ088N03LSGATMA1 技术参数
  • BSZ086P03NS3GATMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13.5A(Ta),40A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.1V @ 105μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):57.5nC @ 10V Vgs(最大值):±25V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):4785pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),69W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.6 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:PG-TSDSON-8 封装/外壳:8-PowerVDFN 标准包装:1 BSZ086P03NS3EGATMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13.5A(Ta),40A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.1V @ 105μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):57.5nC @ 10V Vgs(最大值):±25V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):4785pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),69W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.6 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:PG-TSDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSZ086P03NS3E G 功能描述:MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13.5A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.6 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.1V @ 105μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):57.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4785pF @ 15V 功率 - 最大值:69W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8(3.3x3.3) 标准包装:1 BSZ086P03NS3 G 功能描述:MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13.5A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.6 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.1V @ 105μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):57.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4785pF @ 15V 功率 - 最大值:69W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8(3.3x3.3) 标准包装:1 BSZ084N08NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):80V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):40A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.4 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 31μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1820pF @ 40V 功率 - 最大值:63W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3) 标准包装:5,000 BSZ0904NSI BSZ0904NSIATMA1 BSZ0909NDXTMA1 BSZ0909NSATMA1 BSZ0910NDXTMA1 BSZ096N10LS5ATMA1 BSZ097N04LS G BSZ097N04LSGATMA1 BSZ097N10NS5ATMA1 BSZ0994NSATMA1 BSZ099N06LS5ATMA1 BSZ100N03LSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N06LS3 G BSZ100N06LS3GATMA1 BSZ100N06NSATMA1 BSZ105N04NS G BSZ105N04NSGATMA1
配单专家

在采购BSZ088N03LSGATMA1进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买BSZ088N03LSGATMA1产品风险,建议您在购买BSZ088N03LSGATMA1相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的BSZ088N03LSGATMA1信息由会员自行提供,BSZ088N03LSGATMA1内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号