BTS247ZAKSA1

配单专家企业名单

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数量
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封装
批号
价格
说明
操作

BTS247ZAKSA1
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
9800
Infineon Technologies
PG-TO220-5-3
19+
-
代理直销！进口原装正品！

BTS247ZAKSA1
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Infineon Technologies
PG-TO220-5-3
17+
-
全新原装现货

BTS247ZAKSA1
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
INFINEON
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BTS247ZAKSA1
深圳市正永电子有限公司
深圳市正永电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-23930354
地址：中航路都会轩3607
9800
Infineon Technologies
PG-TO220-5-3
19+
-
代理直销！进口原装正品！

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功能描述
MOSFET TEMPFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

BTS247ZAKSA1 技术参数

BTS247Z E3062A 功能描述:MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:温度保护漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:33A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:18 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 90μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:90nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1730pF @ 25V 功率 - 最大值:120W 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-5，D2Pak（4 引线+接片），TO-263BB 供应商器件封装:TO-220-5 标准包装:1,000 BTS245A 功能描述:Hex Standoff Threaded #8-32 Brass 1.500" (38.10mm) 1 1/2" 制造商:essentra components 系列:BTS 零件状态:有效类型:六角支座有丝/无丝:有螺纹公母:公头，母头螺钉，螺纹规格:#8-32 直径 - 内部:- 直径 - 外部:0.250"（6.35mm） 1/4" 六角形板间高度:1.500"（38.10mm）1 1/2" 长度 - 总:1.875"（47.63mm）1 7/8" 特性:- 材料:黄铜镀层:镍颜色:- 重量:- 标准包装:100 BTS244ZNKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:温度保护漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:13 毫欧 @ 19A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:130nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2660pF @ 25V 功率 - 最大值:170W 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-5 成形引线供应商器件封装:PG-TO220-5-3 标准包装:500 BTS244ZE3062AATMA2 功能描述:MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:温度保护漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:13 毫欧 @ 19A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:130nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2660pF @ 25V 功率 - 最大值:170W 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-5，D2Pak（4 引线+接片），TO-263BB 供应商器件封装:PG-TO263-5 标准包装:1,000 BTS244ZE3043AKSA2 功能描述:MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:温度保护漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:13 毫欧 @ 19A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:130nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2660pF @ 25V 功率 - 最大值:170W 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-220-5 供应商器件封装:PG-TO220-5 标准包装:500 BTS3028SDRATMA1 BTS3035EJXUMA1 BTS3035TFATMA1 BTS3046SDLATMA1 BTS3046SDRATMA1 BTS3050EJXUMA1 BTS3050TFATMA1 BTS3060TFATMA1 BTS307 E3062A BTS307E3043 BTS307E3062ABUMA1 BTS308 E3059 BTS308 E3062A BTS3080EJXUMA1 BTS3080TFATMA1 BTS3104SDLATMA1 BTS3104SDRATMA1 BTS3110NHUMA1