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BUK12850DL

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  • 标准国际(香港)有限公司
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    联系人:朱小姐

    电话:0755-886074588325800283206150

    地址:新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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    联系人:朱先生/李小姐

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BUK12850DL 技术参数
  • BUK127-50GT,115 功能描述:MOSFET TAPE-7 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube BUK127-50DL,115 功能描述:MOSFET TAPE-7 TOPFET2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube BUK125-50L,127 功能描述:MOSFET RAIL TOPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube BUK124-50L,127 功能描述:MOSFET BUK124-50L/SOT263/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube BUK119-50DL,127 功能描述:MOSFET RAIL TOPFET2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube BUK148-50DL,127 BUK149-50DL,127 BUK150-50DL,127 BUK1M200-50SDLD,11 BUK1M200-50SDLD,51 BUK1M200-50SGTD,11 BUK1M200-50SGTD,51 BUK202-50Y,127 BUK204-50Y,118 BUK205-50Y,118 BUK208-50Y,127 BUK209-50Y,127 BUK210-50Y,127 BUK2114-50SYTS,118 BUK212-50Y,127 BUK213-50Y,118 BUK214-50Y,118 BUK215-50Y,118
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