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BUK7Y25-80EX

配单专家企业名单
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  • BUK7Y25-80EX
    BUK7Y25-80EX

    BUK7Y25-80EX

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人：陈小姐

    电话：0755-8320801015711992892

    地址：都会轩3607

    资质：营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • LFPAK， 电源-SO8

  • 18+

  • -

  • MOSFET N-CH 80V 39A ...

  • BUK7Y25-80EX
    BUK7Y25-80EX

    BUK7Y25-80EX

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人：吴经理

    电话：18138401919

    地址：深圳市福田区赛格科技园4栋中6楼6B01

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • SOT669

  • 2021+

  • -

  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • BUK7Y25-80EX
    BUK7Y25-80EX

    BUK7Y25-80EX

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人：鑫科润

    电话：185210072361851602286718516022897

    地址：上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • NXP Semiconductors

  • LFPAK， 电源-SO8

  • 17+

  • -

  • 全新原装现货

  • BUK7Y25-80EX
    BUK7Y25-80EX

    BUK7Y25-80EX

  • 深圳市华盛锦科技有限公司
    深圳市华盛锦科技有限公司

    联系人：雷小姐

    电话：0755-2391507123915070（承诺只售原装正品，终端BOM配单一站式服务）

    地址：华强街道赛格广场55楼5566室

    资质：营业执照

  • 12616

  • NEXPERIA/安世

  • NA

  • 20+

  • -

  • 进口原装正品假一赔十

  • BUK7Y25-80EX
    BUK7Y25-80EX

    BUK7Y25-80EX

  • 深圳市华盛锦科技有限公司
    深圳市华盛锦科技有限公司

    联系人：张先生/雷小姐

    电话：0755-83795896

    地址：深圳市福田区华强北街道赛格广场55楼5566室

    资质：营业执照

  • 34000

  • NEXPERIA/安世

  • 21+原厂授权

  • -

  • ★原厂授权★价超代理★

  • BUK7Y25-80EX
    BUK7Y25-80EX

    BUK7Y25-80EX

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：朱先生/李小姐

    电话：0755-2394163213723794312（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • Nexperia

  • 原厂封装

  • 最新批号

  • -

  • 一级代理.原装特价现货！

  • BUK7Y25-80EX
    BUK7Y25-80EX

    BUK7Y25-80EX

  • 深圳庞田科技有限公司
    深圳庞田科技有限公司

    联系人：吴小姐

    电话：13612858787

    地址：深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A

  • 30000

  • NEXPERIA/安世

  • SOT-669

  • 21+原装

  • -

  • 庞田无假货，只做原装正品，货真价实欢迎前...

  • BUK7Y25-80EX
    BUK7Y25-80EX

    BUK7Y25-80EX

  • 深圳市企诺德电子有限公司
    深圳市企诺德电子有限公司

    联系人：胡

    电话：13480313979

    地址：深圳市福田区华强北路1002号赛格广场54楼5403B-5404AB

    资质：营业执照

  • 15000

  • NXP

  • N/A

  • 22+

  • -

  • 原装正品 专业BOM配单

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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 80V LFPAK56
BUK7Y25-80EX 技术参数
  • BUK7Y25-60EX 功能描述:MOSFET N-CH 60V 34A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:34A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:16.1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1043pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:64W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 10A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 基本零件编号:* 标准包装:1 BUK7Y25-40B/C,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V 35.3A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:35.3A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12.1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:693pF @ 25V 功率 - 最大值:59.4W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供应商器件封装:LFPAK， 电源-SO8 标准包装:1,500 BUK7Y25-40B,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V 35.3A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT） 零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:35.3A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:12.1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:693pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:59.4W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 BUK7Y22-100EX 功能描述:MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT） 零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:49A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:47nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2920pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:147W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:22 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 BUK7Y21-40EX 功能描述:MOSFET N-CH 40V 33A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:33A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:10nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:617pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:45W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:21 毫欧 @ 10A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 BUK7Y3R5-40HX BUK7Y41-80EX BUK7Y43-60EX BUK7Y4R4-40EX BUK7Y4R8-60EX BUK7Y53-100B,115 BUK7Y54-75B,115 BUK7Y59-60EX BUK7Y65-100EX BUK7Y6R0-60EX BUK7Y72-80EX BUK7Y7R2-60EX BUK7Y7R6-40EX BUK7Y7R8-80EX BUK7Y8R7-60EX BUK7Y98-80EX BUK7Y9R9-80EX BUK9107-40ATC,118
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