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BUK9214-30A118

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  • BUK9214-30A118
    BUK9214-30A118

    BUK9214-30A118

  • 深圳市深美诺电子科技有限公司
    深圳市深美诺电子科技有限公司

    联系人:李燕兵

    电话:82525918

    地址:深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室

    资质:营业执照

  • 6000

  • NXP

  • TO-252

  • 22+

  • -
  • 全新原装现货供应

  • 1/1页 40条/页 共3条 
  • 1
BUK9214-30A118 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
BUK9214-30A118 技术参数
  • BUK9214-30A,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 63A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):63A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):31nC @ 5V Vgs(最大值):±15V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2317pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):107W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):12 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:DPAK 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 标准包装:1 BUK9213-60EJ 功能描述:MOSFET N-CH 60V DPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:* 零件状态:有效 标准包装:2,500 BUK9213-30A,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 55A DPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):55A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):11 毫欧 @ 25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):37nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2852pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:2,500 BUK9212-55B,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):32nC @ 5V Vgs(最大值):±15V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3519pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):167W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 185°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:DPAK 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 标准包装:1 BUK9209-40B,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):32nC @ 5V Vgs(最大值):±15V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3619pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):167W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 185°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:DPAK 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 标准包装:1 BUK9222-55A,127 BUK9222-55A/C1,118 BUK9223-60EJ BUK9225-55A,118 BUK9226-75A,118 BUK9230-100B,118 BUK9230-55A,118 BUK9230-80EJ BUK9234-100EJ BUK9237-55,118 BUK9237-55A,118 BUK9237-55A/C1,118 BUK9240-100A,118 BUK9240-100A/C1,11 BUK9245-55A,118 BUK9275-100A,118 BUK9277-55A,118 BUK9277-55A/CDJ
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