BUK9575-55A，127全国供应商 BUK9575-55A，127资料|PDF Datasheet|价格【NXP 恩智浦半导体】

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说明
操作

BUK9575-55A,127
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
TO-220AB
18+
-
MOSFET N-CH 55V 20A ...

BUK9575-55A,127
深圳市海天鸿电子科技有限公司
深圳市海天鸿电子科技有限公司
联系人：彭小姐、刘先生、李小姐
电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
7500
NXP
原厂原装
1716+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

BUK9575-55A,127
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
NXP Semiconductors
TO-220AB
17+
-
全新原装现货

BUK9575-55A,127
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
原厂封装
最新批号
-
代理此型号.原装特价现货！

BUK9575-55A,127
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
100000
Philips Semiconducto
N/A
15+
-
原装正品价格优势！

BUK9575-55A,127
深圳市企诺德电子有限公司
深圳市企诺德电子有限公司
联系人：胡
电话：13480313979
地址：深圳市福田区华强北路1002号赛格广场54楼5403B-5404AB
资质：营业执照
15000
NXP
N/A
22+
-
原装正品专业BOM配单

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1

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功能描述
MOSFET RAIL PWR-MOS
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

BUK9575-55A，127 技术参数

BUK9575-100A,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:23A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:72 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1704pF @ 25V 功率 - 最大值:98W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BUK956R1-100E,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.9 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:133nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:17460pF @ 25V 功率 - 最大值:349W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BUK954R8-60E,127 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:管件零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:65nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:9710pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:234W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 BUK954R4-80E,127 功能描述:MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.2 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:123nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:17130pF @ 25V 功率 - 最大值:349W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BUK954R4-40B,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:64nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7124pF @ 25V 功率 - 最大值:254W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BUK9608-55A,118 BUK9608-55B,118 BUK9609-40B,118 BUK9609-55A,118 BUK9609-75A,118 BUK9610-100B,118 BUK9610-55A,118 BUK9611-55A,118 BUK9611-80E,118 BUK9612-55B,118 BUK9614-55A,118 BUK9614-60E,118 BUK96150-55A,118 BUK9615-100A,118 BUK9615-100E,118 BUK9616-55A,118 BUK9616-75B,118 BUK96180-100A,118

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