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BUK9575100A.127

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

    电话:19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 3555

  • PHILIPS

  • ROHS

  • 201320+

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  • 原装正品,现货库存。400-800-03...

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BUK9575100A.127 技术参数
  • BUK9575-100A,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):23A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):72 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1704pF @ 25V 功率 - 最大值:98W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BUK956R1-100E,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.9 毫欧 @ 25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):133nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):17460pF @ 25V 功率 - 最大值:349W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BUK954R8-60E,127 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:管件 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):65nC @ 5V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):9710pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):234W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.5 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 BUK954R4-80E,127 功能描述:MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):80V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.2 毫欧 @ 25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):123nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):17130pF @ 25V 功率 - 最大值:349W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BUK954R4-40B,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4 毫欧 @ 25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):64nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7124pF @ 25V 功率 - 最大值:254W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BUK9608-55,118 BUK9608-55A,118 BUK9608-55B,118 BUK9609-40B,118 BUK9609-55A,118 BUK9609-75A,118 BUK9610-100B,118 BUK9610-55A,118 BUK9611-55A,118 BUK9611-80E,118 BUK9612-55B,118 BUK9614-55A,118 BUK9614-60E,118 BUK96150-55A,118 BUK9615-100A,118 BUK9615-100E,118 BUK9616-55A,118 BUK9616-75B,118
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