BZD27-C43,115

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BZD27-C43,115 技术参数

BZD27C3V9P-M3-18 功能描述:Zener Diode 3.9V 800mW Surface Mount DO-219AB (SMF) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.9V 容差:- 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:DO-219AB（SMF）标准包装:10,000 BZD27C3V9P-M3-08 功能描述:Zener Diode 3.9V 800mW Surface Mount DO-219AB (SMF) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.9V 容差:- 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:DO-219AB（SMF）标准包装:3,000 BZD27C3V9P-M-18 功能描述:Zener Diode 3.9V 800mW Surface Mount DO-219AB (SMF) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.9V 容差:- 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:DO-219AB（SMF）标准包装:10,000 BZD27C3V9P-M-08 功能描述:Zener Diode 3.9V 800mW Surface Mount DO-219AB (SMF) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.9V 容差:- 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:DO-219AB（SMF）标准包装:3,000 BZD27C3V9P-HE3-18 功能描述:Zener Diode 3.9V 800mW Surface Mount DO-219AB (SMF) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.9V 容差:- 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:DO-219AB（SMF）标准包装:10,000 BZD27C43P RUG BZD27C43P RVG BZD27C43P-E3-08 BZD27C43P-E3-18 BZD27C43P-HE3-08 BZD27C43P-HE3-18 BZD27C43PHM2G BZD27C43PHMHG BZD27C43PHMQG BZD27C43PHMTG BZD27C43PHR3G BZD27C43PHRFG BZD27C43PHRHG BZD27C43PHRQG BZD27C43PHRTG BZD27C43PHRUG BZD27C43PHRVG BZD27C43P-M-08