BZD27C3V6PGS08

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制造商
Vishay Intertechnologies
功能描述
Diode Zener Single 3.6V 6% 800mW 2-Pin DO-219AB T/R

BZD27C3V6PGS08 技术参数

BZD27C3V6P-E3-18 功能描述:Zener Diode 3.6V 800mW Surface Mount DO-219AB (SMF) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.6V 容差:- 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:DO-219AB（SMF）标准包装:10,000 BZD27C3V6P-E3-08 功能描述:DIODE ZENER 800MW SMF DO219 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101，BZD27C 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.6V 容差:- 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:DO-219AB（SMF）标准包装:1 BZD27C39PWHRVG 功能描述:DIODE ZENER 39V 1W SOD123W 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:40 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 30V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123W 供应商器件封装:SOD123W 标准包装:3,000 BZD27C39PW RVG 功能描述:DIODE ZENER 39V 1W SOD123W 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:40 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 30V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123W 供应商器件封装:SOD123W 标准包装:3,000 BZD27C39P-M3-18 功能描述:Zener Diode 39V 800mW Surface Mount DO-219AB (SMF) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:39V 容差:- 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 30V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-219AB 供应商器件封装:DO-219AB（SMF）标准包装:10,000 BZD27C3V9P-HE3-18 BZD27C3V9P-M-08 BZD27C3V9P-M-18 BZD27C3V9P-M3-08 BZD27C3V9P-M3-18 BZD27C43P M2G BZD27C43P MHG BZD27C43P MQG BZD27C43P MTG BZD27C43P R3G BZD27C43P RFG BZD27C43P RHG BZD27C43P RQG BZD27C43P RTG BZD27C43P RUG BZD27C43P RVG BZD27C43P-E3-08 BZD27C43P-E3-18