BZQ5540B

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BZQ5540B 技术参数

BZM55C9V1-TR3 功能描述:Zener Diode 9.1V 500mW Surface Mount MicroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:50 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 6.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，无引线供应商器件封装:MicroMELF 标准包装:10,000 BZM55C9V1-TR 功能描述:Zener Diode 9.1V 500mW Surface Mount MicroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:50 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 6.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，无引线供应商器件封装:MicroMELF 标准包装:2,500 BZM55C8V2-TR3 功能描述:Zener Diode 8.2V 500mW Surface Mount MicroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:50 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 6.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，无引线供应商器件封装:MicroMELF 标准包装:10,000 BZM55C8V2-TR 功能描述:Zener Diode 8.2V 500mW Surface Mount MicroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:50 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 6.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，无引线供应商器件封装:MicroMELF 标准包装:2,500 BZM55C7V5-TR3 功能描述:Zener Diode 7.5V 500mW Surface Mount MicroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:7.5V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:50 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，无引线供应商器件封装:MicroMELF 标准包装:10,000 BZS55B22 RXG BZS55B24 RXG BZS55B27 RXG BZS55B2V4 RXG BZS55B2V7 RXG BZS55B30 RXG BZS55B33 RXG BZS55B36 RXG BZS55B3V0 RXG BZS55B3V3 RXG BZS55B3V6 RXG BZS55B3V9 RXG BZS55B4V3 RXG BZS55B4V7 RXG BZS55B5V1 RXG BZS55B5V6 RXG BZS55B6V2 RXG BZS55B6V8 RXG