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BZV55-B13/G,115

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BZV55-B13/G,115
深圳市毅创辉电子科技有限公司
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电话：19129911934（手机优先微信同号）0755-82813018
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
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BZV55-B13/G,115 技术参数

BZV55-B13,115 功能描述:DIODE ZENER 13V 500MW SOD80C 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:13V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:SOD-80C 基本零件编号:BZV55-B13 标准包装:1 BZV55B13 L1G 功能描述:DIODE ZENER 13V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:13V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:26 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 10V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:2,500 BZV55B13 L0G 功能描述:DIODE ZENER 13V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:13V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:26 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 10V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:10,000 BZV55-B12,135 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW SOD80C 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:SOD-80C 基本零件编号:BZV55-B12 标准包装:1 BZV55-B12,115 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW SOD80C 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:SOD-80C 基本零件编号:BZV55-B12 标准包装:1 BZV55B20 L0G BZV55B20 L1G BZV55-B20,115 BZV55-B20,135 BZV55B22 L0G BZV55B22 L1G BZV55-B22,115 BZV55-B22,135 BZV55B24 L0G BZV55B24 L1G BZV55-B24,115 BZV55B27 L0G BZV55B27 L1G BZV55-B27,115 BZV55B2V4 L0G BZV55B2V4 L1G BZV55-B2V4,115 BZV55B2V7 L0G