BZX79C18/A52R

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BZX79C18/A52R 技术参数

BZX79-C18,143 功能描述:Zener Diode 18V 400mW ±5% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:45 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 12.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:ALF2 标准包装:5,000 BZX79-C18,133 功能描述:DIODE ZENER 18V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:45 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 12.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:ALF2 基本零件编号:BZX79C18 标准包装:1 BZX79-C18,113 功能描述:DIODE ZENER 18V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:45 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 12.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:ALF2 基本零件编号:BZX79C18 标准包装:1 BZX79C18 A0G 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:45 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 12.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 BZX79C18 功能描述:Zener Diode 18V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:45 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 12.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1,000 BZX79C20_T50R BZX79C20-T50A BZX79C22 BZX79C22 A0G BZX79-C22,113 BZX79-C22,133 BZX79-C22,143 BZX79C22_T50A BZX79C22_T50R BZX79C24 BZX79C24 A0G BZX79-C24,113 BZX79-C24,133 BZX79-C24,143 BZX79C24_T50A BZX79C24_T50R BZX79C24-T50A BZX79C27