BZX85C10VST

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BZX85C10VST 技术参数

BZX85C10-TR 功能描述:Zener Diode 10V 1.3W ±5% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:7 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 7.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:5,000 BZX85C10-TAP 功能描述:Zener Diode 10V 1.3W ±5% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:7 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 7.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:5,000 BZX85C10-T50R 功能描述:DIODE ZENER 10V 1W DO41 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:7 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）基本零件编号:BZX85C10 标准包装:1 BZX85C100-TR 功能描述:Zener Diode 100V 1.3W ±5% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:100V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:350 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 75V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:5,000 BZX85C100-TAP 功能描述:Zener Diode 100V 1.3W ±5% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:100V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:350 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 75V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:5,000 BZX85C12 R0G BZX85C12_T50R BZX85C12-T50R BZX85C12-TAP BZX85C12-TR BZX85C13 BZX85C13 A0G BZX85C13 R0G BZX85C13_T50R BZX85C13-TAP BZX85C13-TR BZX85C15 BZX85C15 A0G BZX85C15 R0G BZX85C15_T50A BZX85C15_T50R BZX85C15-T50A BZX85C15-T50R