C2P0108N-A

配单专家企业名单

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批号
价格
说明
操作

C2P0108N-A
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008-1009室
资质：营业执照
5000
Electroswitch
标准封装
16+
-
假一罚十，百分百原装正品

C2P0108N-A
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
只做原装正品欢迎洽谈电话010-62...

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功能描述
SWITCH ROTARY SP-8POS ENCLOSED
RoHS
是
类别
开关 >> 旋转
系列
C2
RoHS指令信息
435123-1 Statement of Compliance
产品目录绘图
Rotary Switch
特色产品
TE Connectivity Switches
3D 型号
435123-1.pdf
标准包装
1
系列
6000
位置数
10
层数
1
每层电极数
-
每层电路
BCD
触点额定电压
0.125A @ 115VAC
触动器类型
旋钮
安装类型
PCB，通孔
端接类型
PC 引脚
方向
垂直
摆角
36°
产品目录页面
2570 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
435123-1-ND450-1183A26201A26201-ND

C2P0108N-A 技术参数

C2M1000170J-TR 功能描述:MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247 制造商:cree/wolfspeed 系列:C2M? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1700V（1.7kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.3A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.1V @ 500μA（标准）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:200pF @ 1000V 功率 - 最大值:78W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-7（直引线）供应商器件封装:D2PAK（7-Lead）标准包装:800 C2M1000170J 功能描述:MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247 制造商:cree/wolfspeed 系列:C2M? 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1700V（1.7kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.3A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 欧姆 @ 2A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.1V @ 500μA（标准）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:200pF @ 1000V 功率 - 最大值:78W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-7（直引线）供应商器件封装:D2PAK（7-Lead）标准包装:50 C2M1000170D 功能描述:MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-FET?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1700V（1.7kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.9A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.1 欧姆 @ 2A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:191pF @ 1000V 功率 - 最大值:69W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 C2M0280120D 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-FET?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:370 毫欧 @ 6A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1.25mA（标准）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20.4nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:259pF @ 1000V 功率 - 最大值:62.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 C2M0160120D 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 17.7A TO-247 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-FET?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17.7A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:196 毫欧 @ 10A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 500μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:32.6nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:527pF @ 800V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 C2PXG-1418M C2PXG-1436G C2PXG-1436M C2PXG-1606G C2PXG-1606M C2PXG-1618G C2PXG-1618M C2PXG-1636G C2PXG-1636M C2PXG-2406G C2PXG-2406M C2PXG-2418G C2PXG-2418M C2PXG-2436G C2PXG-2436M C2PXG-4006G C2PXG-4006M C2PXG-4018G