CIG22W2R2MNESAMSUNG

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CIG22W2R2MNESAMSUNG 技术参数

CIG22LR47MNE 功能描述:470nH Shielded Multilayer Inductor 1.8A 40 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22L 包装:剪切带（CT）零件状态:停产类型:多层材料 - 磁芯:- 电感:470nH 容差:±20% 额定电流:1.8A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:40 毫欧不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 CIG22L6R8MNE 功能描述:6.8μH Shielded Multilayer Inductor 800mA 203 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22L 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:多层材料 - 磁芯:- 电感:6.8μH 容差:±20% 额定电流:800mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:203 毫欧不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 CIG22L4R7MNE 功能描述:4.7μH Shielded Multilayer Inductor 1.1A 110 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22L 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:多层材料 - 磁芯:- 电感:4.7μH 容差:±20% 额定电流:1.1A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:110 毫欧不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 CIG22L3R3MNE 功能描述:3.3μH Shielded Multilayer Inductor 1.2A 100 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22L 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:多层材料 - 磁芯:- 电感:3.3μH 容差:±20% 额定电流:1.2A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:100 毫欧不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 CIG22L2R2MNE 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 1.3A 80 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22L 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:多层材料 - 磁芯:- 电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:1.3A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:80 毫欧不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 CIGT201208EHR47MNE CIGT201208EM1R0MNE CIGT201208EM1R0SNE CIGT201208EMR47MNE CIGT201208UM1R0MNE CIGT201208UM1R5MNE CIGT201210EM1R0MNE CIGT201210UH1R0MNE CIGT201210UH1R5MNE CIGT201210UH2R2MNE CIGT201210UHR24MNE CIGT201210UHR33MNE CIGT201210UHR47MNE CIGT201210UHR47SNE CIGT201210UHR68MNE CIGT201210UM1R0MNE CIGT201210UM1R5MNE CIGT201210UMR16MNE