CY7C1514V18-300BZI

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CY7C1514V18-300BZI 技术参数

CY7C1514V18-250BZI 功能描述:静态随机存取存储器 2M x 36 1.8V QDR II 静态随机存取存储器 IND RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1514V18-250BZC 功能描述:静态随机存取存储器 2M x 36 1.8V QDR II 静态随机存取存储器 COM RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1514V18-200BZXI 功能描述:静态随机存取存储器 2M x 36 1.8V QDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1514V18-200BZXC 功能描述:IC SRAM 72MBIT 200MHZ 165TFBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并联电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15）包装:托盘其它名称:71P71804S200BQ CY7C1514V18-200BZC 功能描述:静态随机存取存储器 2M x 36 1.8V QDR II 静态随机存取存储器 COM RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1515KV18-250BZI CY7C1515KV18-250BZXC CY7C1515KV18-250BZXI CY7C1515KV18-300BZC CY7C1515KV18-300BZCT CY7C1515KV18-300BZI CY7C1515KV18-300BZXC CY7C1515KV18-300BZXI CY7C1515KV18-333BZC CY7C1515KV18-333BZI CY7C1515KV18-333BZXC CY7C1515KV18-333BZXI CY7C1515SV18-167BZC CY7C1515SV18-250BZC CY7C1515TV18-200BZC CY7C1515V18-167BZC CY7C1515V18-167BZXI CY7C1515V18-200BZC