MLD6501

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MLD6501 技术参数

MLD2N06CLT4G 功能描述:MOSFET 10V 4.4A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube MLD2N06CLT4 功能描述:MOSFET 10V 4.4A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube MLD2016S4R7MTD25 功能描述:INDUCTORS FOR POWER CIRCUITS,AUT 制造商:tdk corporation 系列:MLD 包装:剪切带（CT）零件状态:在售类型:多层材料 - 磁芯:铁氧体电感:4.7μH 容差:±20% 额定电流:750mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:325 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:2MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:0806（2016 公制）供应商器件封装:0806（2016 公制）大小/尺寸:0.079" 长 x 0.063" 宽（2.00mm x 1.60mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 MLD2016S3R3MTD25 功能描述:INDUCTORS FOR POWER CIRCUITS,AUT 制造商:tdk corporation 系列:MLD 包装:剪切带（CT）零件状态:在售类型:多层材料 - 磁芯:铁氧体电感:3.3μH 容差:±20% 额定电流:800mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:299 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:2MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:0806（2016 公制）供应商器件封装:0806（2016 公制）大小/尺寸:0.079" 长 x 0.063" 宽（2.00mm x 1.60mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 MLD2016S2R2MTD25 功能描述:INDUCTORS FOR POWER CIRCUITS,AUT 制造商:tdk corporation 系列:MLD 包装:剪切带（CT）零件状态:在售类型:多层材料 - 磁芯:铁氧体电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:900mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:221 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:2MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:0806（2016 公制）供应商器件封装:0806（2016 公制）大小/尺寸:0.079" 长 x 0.063" 宽（2.00mm x 1.60mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 MLE-105-01-G-DV MLE-105-01-G-DV-A MLE-105-01-G-DV-A-P MLE-105-01-G-DV-A-P-TR MLE-106-01-G-DV MLE-106-01-G-DV-A MLE-107-01-G-DV MLE-107-01-G-DV-A MLE-107-01-G-DV-A-K-TR MLE-107-01-G-DV-P-TR MLE-108-01-G-DV MLE-108-01-G-DV-A MLE-109-01-G-DV MLE-110-01-G-DV MLE-110-01-G-DV-A MLE-111-01-G-DV MLE-111-01-G-DV-A-P MLE-112-01-G-DV