NAND16GAHAPZO6

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NAND16GAHAPZO6
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集好芯城
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地址：深圳公司：深圳市福田区华富路航都大厦11F
资质：营业执照
25586
ST/意法
BGA
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原厂原装现货

NAND16GAHAPZO6
深圳市华芯盛世科技有限公司
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865000
ST
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NAND16GAHAPZO6 技术参数

NAND128W3AABN6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays NAND128W3A2BN6F 功能描述:闪存 NAND 128 MEG RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel NAND128W3A2BN6E 功能描述:闪存 NAND 128 MEG RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel NAND128W3A0BN6F 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel NAND128W3A0BN6E 功能描述:闪存 2.7-3.6V 128M(16Mx8) RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel NAND256W3A0BE06 NAND256W3A0BN6E NAND256W3A0BN6F TR NAND256W3A0BZA6E NAND256W3A2BE06 NAND256W3A2BN6E NAND256W3A2BN6F NAND256W3A2BN6F TR NAND256W3A2BNXE NAND256W3A2BZA6E NAND256W3A2BZA6F TR NAND256W3A2BZAXE NAND256W4A0AN6E NAND32GW3F4AN6E NAND512R3A2AZA6E NAND512R3A2BZA6E NAND512R3A2CZA6E NAND512R3A2DZA6E