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PBLS2000D,115

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  • 功能描述
  • 开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANSISTOR PNP 20V
  • RoHS
  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 配置
  • 晶体管极性
  • NPN/PNP
  • 典型输入电阻器
  • 典型电阻器比率
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
  • 200 mA
  • 最大工作频率
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
  • 50 V
  • 集电极连续电流
  • 150 mA
  • 峰值直流集电极电流
  • 功率耗散
  • 200 mW
  • 最大工作温度
  • 封装
  • Reel
PBLS2000D,115 技术参数
  • PBLS1504Y,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA,500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V,15V 电阻器 - 基底(R1):22 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2):22 千欧 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):60 @ 5mA,5V / 150 @ 100mA,2V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA / 250mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA,100nA 频率 - 跃迁:280MHz 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 基本零件编号:PBLS1504 标准包装:1 PBLS1504V,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA,500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V,15V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):22k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):60 @ 5mA,5V / 150 @ 100mA,2V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA / 250mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA,100nA 频率 - 跃迁:280MHz 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标准包装:1 PBLS1503Y,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA,500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V,15V 电阻器 - 基底(R1):10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2):10 千欧 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V / 150 @ 100mA. 2V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA / 250mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA,100nA 频率 - 跃迁:280MHz 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 基本零件编号:PBLS1503 标准包装:1 PBLS1503V,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA,500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V,15V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V / 150 @ 100mA. 2V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA / 250mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA,100nA 频率 - 跃迁:280MHz 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-563,SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标准包装:1 PBLS1502Y,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA,500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V,15V 电阻器 - 基底(R1):4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2):4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 10mA,5V / 150 @ 100mA,2V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA / 250mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA,100nA 频率 - 跃迁:280MHz 功率 - 最大值:300mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 基本零件编号:PBLS1502 标准包装:1 PBLS2023D,115 PBLS2024D,115 PBLS4001D,115 PBLS4001V,115 PBLS4001Y,115 PBLS4002D,115 PBLS4002V,115 PBLS4002Y,115 PBLS4003D,115 PBLS4003V,115 PBLS4003Y,115 PBLS4004D,115 PBLS4004V,115 PBLS4004Y,115 PBLS4005D,115 PBLS4005V,115 PBLS4005Y,115 PBLS6001D,115
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