PHC6A-KIT

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型号
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封装
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价格
说明
操作

PHC6A-KIT
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
5000
Yageo
标准封装
16+
-
假一罚十，原装正品

PHC6A-KIT
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：史仙雁
电话：19129911934（手机优先微信同号）0755-82813018
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
35680
Yageo
ROHS
12+
-
全新原装正品欢迎来电0755-8286...

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您是不是要找： PHC6-KIT PHC-M4-433 PHD.2K.310.CYMC45Z PHD.2K.310.CYMC70Z PHD.3B.308.CLLD82 PHD.3K.330.CYMC85 PHD.4K.304.CYMK16 PHD.4K.320.CYMC95 PHD.5B.364.CLLD11

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功能描述
KIT RES 1% 113 VALUES 50 EA 0805
RoHS
是
类别
套件 >> 无源 - 电阻器
系列
RC0805
标准包装
1
系列
ERJ
套件类型
1/2W、1W（.5W）1% 电流感应，厚膜
值范围
520 件 - 0.001 ~ 0.100，各 20 件
包装
-
安装类型
表面贴装
包括封装
1812，2010，2512
产品目录页面
2240 (CN2011-ZH PDF)
工具箱内容
(20) P6.0MCT-ND - RESISTOR .006 OHM 1W 1% 2512(20) P47MCT-ND - RESISTOR .047 OHM 1W 1% 2512(20) P2.0NDCT-ND - RESISTOR .002 OHM 1W 1% 2512(20) P1.5NDCT-ND - RESISTOR .0015 OHM 1W 1% 2512(20) P1.0NDCT-ND - RESISTOR .001 OHM 1W 1% 2512(20) P75NCCT-ND - RESISTOR .075 OHM 1/2W 1% 2010(20) P100NCCT-ND - RESISTOR .100 OHM 1/2W 1% 2010(20) P50NCCT-ND - RESISTOR .050 OHM 1/2W 1% 2010(20) P47NCCT-ND - RESISTOR .047 OHM 1/2W 1% 2010(20) P75NBCT-ND - RESISTOR .075 OHM 1/2W 1% 1812更多...
其它名称
Q2626989

PHC6A-KIT 技术参数

PHC2300,118 功能描述:MOSFET N/P-CH 300V 8SOIC 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:300V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:340mA，235mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 欧姆 @ 170mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:6.24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:102pF @ 50V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 PHC21025,118 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.5A，2.3A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 2.2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:250pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 PHB66NQ03LT,118 功能描述:MOSFET N-CH 25V 66A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:66A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:860pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:93W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10.5 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 PHB-5R0V505-R 功能描述:5F Supercap 5V Radial, Can 130 mOhm @ 100Hz 1000 Hrs @ 70°C 0.839" L x 0.433" W (21.30mm x 11.00mm) 制造商:eaton 系列:PowerStor PHB 包装:散装零件状态:有效电容:5F 容差:-10%，+30% 电压 - 额定:5V ESR（等效串联电阻）:130 毫欧 @ 100Hz 不同温度时的使用寿命:70°C 时为 1000 小时端接:通孔安装类型:通孔封装/外壳:径向，Can 引线间距:0.209"（5.30mm）大小/尺寸:0.839" 长 x 0.433" 宽（21.30mm x 11.00mm）高度 - 安装（最大值）:1.280"（32.50mm）工作温度:-25°C ~ 70°C 标准包装:100 PHB-5R0V305-R 功能描述:3F Supercap 5V Radial, Can 200 mOhm @ 100Hz 1000 Hrs @ 70°C 0.681" L x 0.354" W (17.30mm x 9.00mm) 制造商:eaton 系列:PowerStor PHB 包装:散装零件状态:有效电容:3F 容差:-10%，+30% 电压 - 额定:5V ESR（等效串联电阻）:200 毫欧 @ 100Hz 不同温度时的使用寿命:70°C 时为 1000 小时端接:通孔安装类型:通孔封装/外壳:径向，Can 引线间距:0.465"（11.80mm）大小/尺寸:0.681" 长 x 0.354" 宽（17.30mm x 9.00mm）高度 - 安装（最大值）:1.280"（32.50mm）工作温度:-25°C ~ 70°C 标准包装:100 PHD101NQ03LT,118 PHD108NQ03LT,118 PHD110NQ03LT,118 PHD13003C,126 PHD13003C,412 PHD13005,127 PHD13005AD,127 PHD140260-6 PHD14NQ20T,118 PHD16N03LT,118 PHD16N03T,118 PHD18NQ10T,118 PHD20N06T,118 PHD21N06LT,118 PHD22NQ20T,118 PHD23NQ10T,118 PHD3055E,118 PHD33NQ20T,118