PMV22EN,215全国供应商 PMV22EN,215资料|PDF Datasheet|价格【NXP 恩智浦半导体】

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

PMV22EN,215
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园4栋中7楼7B30
69880
TY/台灣半導体
SOT23-3
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

PMV22EN,215
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
19650
NXP
SOT-23
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

PMV22EN,215
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
NXP Semiconductors
TO-236AB
17+
-
全新原装现货

PMV22EN,215
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
NXP
SOT23-3
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

PMV22EN,215
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
638850
NXP
SOT-23
最新批次
-
OEM渠道，价格超越代理！

PMV22EN,215
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
TO-236AB（SOT23）
18+
-
MOSFET N-CH 30V 5.2A...

PMV22EN,215
深圳成德兴科技有限公司
深圳成德兴科技有限公司
联系人：马庆勇
电话：0755-82567711
地址：深南中路佳和电子大厦（华强三店）三楼3C072室
资质：营业执照
13400
NXP
SOT-23
22+
-
原装现货可含税样品可拆

PMV22EN,215
深圳市信通吉电子有限公司
深圳市信通吉电子有限公司
联系人：冯
电话：17841084408
地址：深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和大厦B座20
13650
原装正品
SOT-23
2019+
-
香港总公司18年专业电子元器件现货供应商

PMV22EN,215
深圳市轩盛达电子有限公司
深圳市轩盛达电子有限公司
联系人：陈
电话：1588932848313924772445
地址：深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和华强大厦五楼5C103
10000
-
原厂原装现货，代找紧缺料

PMV22EN,215
深圳市桂鹏科技有限公司
深圳市桂鹏科技有限公司
联系人：田小姐/高先生/李小姐
电话：0755-828102988281039882810298
地址：深圳市罗湖区宝安南路国都大厦-国丽15D（地王大厦周边）
资质：营业执照
82810298
NXP
SOT-23
15+
-
深圳现货★原厂品质★提供PCB板配单业务

PMV22EN,215
深圳市泽芯微科技有限公司
深圳市泽芯微科技有限公司
联系人：柯小姐
电话：0755-8273028382732023
地址：中航路新亚洲国利大厦A座24层12室
13650
nxp
sot-23
2017+pb
-
进口原装现货，一定自己库存

PMV22EN,215
深圳市企诺德电子有限公司
深圳市企诺德电子有限公司
联系人：胡
电话：13480313979
地址：深圳市福田区华强北路1002号赛格广场54楼5403B-5404AB
资质：营业执照
15000
NXP
N/A
22+
-
原装正品专业BOM配单

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功能描述
MOSFET Small Signal MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

PMV22EN,215 技术参数

PMV213SN,215 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.9A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:7nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:330pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:280mW（Tj）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:250 毫欧 @ 500mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 PMV20XNER 功能描述:MOSFET N-CH 30V SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:18.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1150pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:510mW（Ta）, 6.94W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23 毫欧 @ 5.7A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 PMV20XNEAR 功能描述:MOSFET N-CH 30V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:15nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:930pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:460mW（Ta）, 6.94W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20 毫欧 @ 6.3A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 PMV20XN,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 4.8A SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.8A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 4.8A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:585pF @ 15V 功率 - 最大值:510mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）标准包装:1 PMV20ENR 功能描述:MOSFET N-CH 30V SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:10.8nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:435pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:510mW（Ta）, 6.94W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:21毫欧 @ 6A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 PMV2-4RB-3K PMV2-4RB-C PMV2-4RB-X PMV250EPEAR PMV25ENEAR PMV2-5FB-3K PMV2-5FB-C PMV2-5RB-3K PMV2-5RB-C PMV2-5RB-X PMV2-6FB-3K PMV2-6FB-C PMV2-6RB-3K PMV2-6RB-C PMV2-6RB-X PMV27UPEAR PMV27UPER PMV280ENEAR