PSMN3R9-60XSQ

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

PSMN3R9-60XSQ
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
NXP/恩智浦
TO220F
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

PSMN3R9-60XSQ
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
TO-220F
18+
-
MOSFET N-CH 60V 75A ...

PSMN3R9-60XSQ
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
5000
NXP
TO220F
23+
-
原厂原装正品现货

PSMN3R9-60XSQ
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
NXP Semiconductors
TO-220F
17+
-
全新原装现货

PSMN3R9-60XSQ
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：严艺浦
电话：18682365538
地址：上步工业区501栋410室
20000
NXP/恩智浦
TO220F
23+
-
原装正品欢迎咨询

PSMN3R9-60XSQ
深圳市诚达吉电子有限公司
深圳市诚达吉电子有限公司
联系人：莫小姐
电话：15013829553
地址：广东深圳
资质：营业执照
2000
SMD
22+
-
全部原装现货

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您是不是要找： PSMN4R0-25YLC,115 PSMN4R0-30YL,115 PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-60YS,115 PSMN4R1-30YLC,115 PSMN4R1-60YLX PSMN4R2-30MLDX PSMN4R2-60PLQ

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功能描述
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220F
制造商
nxp semiconductors
系列
-
包装
管件
零件状态
过期
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
75A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
4 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
103nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
5494pF @ 25V
功率 - 最大值
55W
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 全封装，隔离接片
供应商器件封装
TO-220F
标准包装
50

PSMN3R9-60XSQ 技术参数

PSMN3R9-60PSQ 功能描述:MOSFET N-CH 60V SOT78 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:130A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:103nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:5600pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:263W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.9 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN3R9-25MLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:21.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1524pF @ 12.5V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:69W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.15 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK33 封装/外壳:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）标准包装:1 PSMN3R8-30LL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V QFN3333 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:38nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2085pF @ 15V 功率 - 最大值:69W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装:8-DFN3333（3.3x3.3）标准包装:1 PSMN3R8-100BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:170nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:9900pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:306W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.9 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 PSMN3R7-30YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.95 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1848pF @ 15V 功率 - 最大值:79W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供应商器件封装:LFPAK，电源-SO8 标准包装:1 PSMN4R3-100ES,127 PSMN4R3-100PS,127 PSMN4R3-30BL,118 PSMN4R3-30PL,127 PSMN4R3-80ES,127 PSMN4R3-80PS,127 PSMN4R4-30MLC,115 PSMN4R4-80BS,118 PSMN4R4-80PS,127 PSMN4R5-30YLC,115 PSMN4R5-40BS,118 PSMN4R5-40PS,127 PSMN4R6-100XS,127 PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60PS,127 PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100PSEQ PSMN5R0-100ES,127