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PSMN6R3-120ES

配单专家企业名单
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  • PSMN6R3-120ESQ
    PSMN6R3-120ESQ

    PSMN6R3-120ESQ

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • PSMN6R3-120ESQ
    PSMN6R3-120ESQ

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  • 深圳市创芯弘科技有限公司
    深圳市创芯弘科技有限公司

    联系人:(2014年前十佳IC供应商)

    电话:13410000176

    地址:深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......

    资质:营业执照

  • 369800

  • Nexperia(安世)

  • SOT226

  • 刚到货

  • -
  • 代理可含税开票

  • PSMN6R3-120ESQ
    PSMN6R3-120ESQ

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  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • TO-262-3

  • 18+

  • -
  • MOSFET N-CH 120V 70A...

  • PSMN6R3-120ESQ
    PSMN6R3-120ESQ

    PSMN6R3-120ESQ

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 2395

  • NXP SEMIC

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • PSMN6R3-120ESQ
    PSMN6R3-120ESQ

    PSMN6R3-120ESQ

  • 深圳市时兴宇电子有限公司
    深圳市时兴宇电子有限公司

    联系人:彭先生

    电话:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G

  • 9133

  • NXP

  • TO-262

  • 14+

  • -
  • 绝对公司原装现货

  • PSMN6R3-120ESQ
    PSMN6R3-120ESQ

    PSMN6R3-120ESQ

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • NXP Semiconductors

  • TO-262-3

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • PSMN6R3-120ES
    PSMN6R3-120ES

    PSMN6R3-120ES

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

    电话:18138401919

    地址:深圳市福田区赛格科技园4栋中6楼6B01

  • 69880

  • NXP/恩智浦

  • SOT-226

  • 2021+

  • -
  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • PSMN6R3-120ES
    PSMN6R3-120ES

    PSMN6R3-120ES

  • 深圳市深科创科技有限公司
    深圳市深科创科技有限公司

    联系人:吴先生/吴小姐/朱先生

    电话:0755-832472900755-828652018324751083223957

    地址:深圳市福田区航都大厦17F1可提供13%增值税发票

  • 7500

  • NXP/恩智浦

  • SOT-226

  • 2020+

  • -
  • 全新原装现货 渠道优势库存 假一罚十

  • PSMN6R3-120ES
    PSMN6R3-120ES

    PSMN6R3-120ES

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 2700

  • isc,iscsemi

  • I2PAK/TO-262

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • PSMN6R3-120ESQ
    PSMN6R3-120ESQ

    PSMN6R3-120ESQ

  • 深圳市科宏特电子有限公司
    深圳市科宏特电子有限公司

    联系人:李瑞兵

    电话:18897698645

    地址:深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Nexperia

  • 22+

  • -
  • 原装正品

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  • 1
PSMN6R3-120ES PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
PSMN6R3-120ES 技术参数
  • PSMN6R1-30YLDX 功能描述:MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):66A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):13.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):817pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):47W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6 毫欧 @ 15A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 基本零件编号:PSMN6R1 标准包装:1 PSMN6R1-25MLDX 功能描述:PSMN6R1-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):25V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):60A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):10.7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):702pF @ 12V FET 功能:肖特基二极管(体) 功率耗散(最大值):42W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.24 毫欧 @ 15A, 10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK33 封装/外壳:SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线) 标准包装:1 PSMN6R0-30YLDX 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):66A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):13.7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):832pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):47W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6 毫欧 @ 15A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 基本零件编号:PSMN6R0 标准包装:1 PSMN6R0-30YLB,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):71A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.95V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):19nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1088pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):58W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.5 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 PSMN6R0-30YL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 79A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):79A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):24nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1425pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):55W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6 毫欧 @ 15A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 PSMN7R0-100BS,118 PSMN7R0-100ES,127 PSMN7R0-100PS,127 PSMN7R0-100XS,127 PSMN7R0-30MLC,115 PSMN7R0-30YL,115 PSMN7R0-30YLC,115 PSMN7R0-40LS,115 PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R5-25YLC,115 PSMN7R5-30MLDX PSMN7R5-30YLDX PSMN7R5-60YLX PSMN7R6-100BSEJ PSMN7R6-60BS,118 PSMN7R6-60PS,127 PSMN7R6-60XSQ PSMN7R8-100PSEQ
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