配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

PSMN6R5-80BS,118
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
Nexperia(安世)
SOT404
刚到货
-
代理可含税开票

PSMN6R5-80BS,118
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
D2PAK
18+
-
MOSFET N-CH 80V 100A...

PSMN6R5-80BS,118
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

PSMN6R5-80BS
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
3735
NXP
1521+
-
全新原装现货

PSMN6R5-80BS,118
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
NXP Semiconductors
D2PAK
17+
-
全新原装现货

PSMN6R5-80BS118
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13305449939
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
1899
NEXPERIA
NA
近两年
-
查价格、订购可到京北通宇商城www.jb...

PSMN6R5-80BS
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc,iscsemi
D2PAK/TO-263
2024+
-
国产品牌，可替代原装

PSMN6R5-80BS
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
NXP/恩智浦
D2PAK
22+
-
十年配单，只做原装

PSMN6R5-80BS
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
Nexperia
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

PSMN6R5-80BS118
万三科技（深圳）有限公司
万三科技（深圳）有限公司
联系人：王俊杰
电话：188185984650755-23763516
地址：深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C
6500000
Nexperia
原厂原装
22+
-
万三科技秉承原装实单可议

PSMN6R5-80BS,118
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
4801
Nexperia USA Inc.
TO-263-3
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

PSMN6R5-80BS
深圳市信通吉电子有限公司
深圳市信通吉电子有限公司
联系人：冯
电话：17841084408
地址：深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和大厦B座20
38000
Nexpe原装正品
SOT404A
19+
-
香港总公司18年专业电子元器件现货供应商

PSMN6R5-80BS
深圳市安博威科技有限公司
深圳市安博威科技有限公司
联系人：吴
电话：18320850923
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场1713室
50000
21+
-
全新进口原装现货

PSMN6R5-80BS 贴片三极管
深圳庞田科技有限公司
深圳庞田科技有限公司
联系人：吴小姐
电话：13612858787
地址：深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A
84000
NXP/恩智浦
TO-263
21+原装
-
庞田无假货，只做原装正品，货真价实欢迎前...

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1

您是不是要找： PSMN6R5-80BS,118 PSMN6R5-80PS,127 PSMN6R9-100YSFQ PSMN6R9-100YSFX PSMN7R0-100BS,118 PSMN7R0-100ES,127 PSMN7R0-100PS,127 PSMN7R0-100XS,127 PSMN7R0-30MLC,115

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET N CH 80V 100A D2PAK
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET, N CH, 80V, 100A, D2PAK
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET, N CH, 80V, 100A, D2PAK; Transistor Polarity

PSMN6R5-80BS 技术参数

PSMN6R5-30MLDX 功能描述:MOSFET N-CH 30V MLFP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:65A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:13.6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:817pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:51W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.5 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK33 封装/外壳:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）标准包装:1 PSMN6R5-25YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 64A LL LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:17.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1093pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:48W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.5 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PSMN6R4-30MLDX 功能描述:MOSFET N-CH 30V MLFP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:66A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:13.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:832pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:51W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.3 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK33 封装/外壳:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）标准包装:1 PSMN6R3-120PS 功能描述:MOSFET N-CH 120V 70A TO-220 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:120V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:207.1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:11384pF @ 60V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:405W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.7 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 PSMN6R3-120ESQ 功能描述:MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:120V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:207.1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:11384pF @ 60V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:405W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.7 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:I2PAK 封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 标准包装:50 PSMN7R0-30YL,115 PSMN7R0-30YLC,115 PSMN7R0-40LS,115 PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R5-25YLC,115 PSMN7R5-30MLDX PSMN7R5-30YLDX PSMN7R5-60YLX PSMN7R6-100BSEJ PSMN7R6-60BS,118 PSMN7R6-60PS,127 PSMN7R6-60XSQ PSMN7R8-100PSEQ PSMN7R8-120ESQ PSMN7R8-120PSQ PSMN8R0-30YL,115 PSMN8R0-30YLC,115 PSMN8R0-40BS,118

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