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STGP6NC60KD

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  • STGP6NC60KD
    STGP6NC60KD

    STGP6NC60KD

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质:营业执照

  • 5000

  • ST

  • TO 220 AB NON ISOL

  • 06+07+pb-f

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • STGP6NC60KD
    STGP6NC60KD

    STGP6NC60KD

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19

    资质:营业执照

  • 6000

  • ST

  • TO-220

  • 22+

  • -
  • 十年配单,只做原装

  • STGP6NC60KD
    STGP6NC60KD

    STGP6NC60KD

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • ST

  • TO-220

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • 1/1页 40条/页 共8条 
  • 1
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STGP6NC60KD 技术参数
  • STGP6NC60HD 功能描述:IGBT 600V 15A 56W TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):15A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):21A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.5V @ 15V,3A 功率 - 最大值:56W 开关能量:20μJ(开),68μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td(开/关)值:12ns/76ns 测试条件:390V,3A,10 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):21ns 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STGP6M65DF2 功能描述:IGBT Trench Field Stop 650V 12A 88W Through Hole TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:M 包装:管件 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):12A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):24A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2V @ 15V,6A 功率 - 最大值:88W 开关能量:40μJ(开),136μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td(开/关)值:12ns/86ns 测试条件:400V,6A,22 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):140ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:2,000 STGP5H60DF 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):10A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):20A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.95V @ 15V,5A 功率 - 最大值:88W 开关能量:56μJ(开),78.5μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:43nC 25°C 时 Td(开/关)值:30ns/140ns 测试条件:400V,5A,47 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):134.5ns 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STGP4M65DF2 功能描述:IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS 制造商:stmicroelectronics 系列:M 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):8A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):16A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.1V @ 15V,4A 功率 - 最大值:68W 开关能量:40μJ(开),136μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:15.2nC 25°C 时 Td(开/关)值:12ns/86ns 测试条件:400V,4A,47 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):133ns 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STGP40V60F 功能描述:IGBT 600V 80A 283W TO220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):80A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):160A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.3V @ 15V,40A 功率 - 最大值:283W 开关能量:456μJ(开),411μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:226nC 25°C 时 Td(开/关)值:52ns/208ns 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 ST-GTC-16P1-100-(A572) ST-GTC-16P1-3500 ST-GTC-16P2-3500 ST-GTC-16P3-3500 ST-GTC-16S1-100-(A572) ST-GTC-16S1-3500 ST-GTC-16S2-100-(A572) ST-GTC-16S2-3500 STGW10M65DF2 STGW15H120DF2 STGW15H120F2 STGW15M120DF3 STGW15S120DF3 STGW19NC60H STGW19NC60HD STGW19NC60W STGW19NC60WD STGW20H60DF
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