配单专家企业名单

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价格
说明
操作

STS8216
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
5000
三合微
SOT26
06+
-
假一罚十，百分百原装正品

STS8216
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
17000
SAMHOP
SOT23-6
23+
-
原厂原装正品现货

STS8216
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
18530
S
SOT-26
22+
-
全新原装正品现货

STS8216
深圳成德兴科技有限公司
深圳成德兴科技有限公司
联系人：马庆勇
电话：0755-82567711
地址：深南中路佳和电子大厦（华强三店）三楼3C072室
资质：营业执照
19320
SAMHOP
SOT23-6
22+
-
原装现货可含税样品可拆

STS8216
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：86-755-8450174913760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
28000
S
SOT-26
假一赔十！
-
绝对原装现货！！

STS8216
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
slgo
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

STS8216
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4430
SAMHOP
SOT23
2202+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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STS8216 技术参数

STS7PF30L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:21 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2600pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS7P4LLF6 功能描述:MOSFET P-CH 40V 7A POWERSO-8 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20.5 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最小）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:22nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2850pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS7NF60L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19.5 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:34nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1700pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS7C4F30L 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 7A/4A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A，4A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:22 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:23nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1050pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS6P3LLH6 功能描述:MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:30 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最小）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1450pF @ 24V 功率 - 最大值:2.7W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS9NH3LL STS9P2UH7 STS9P3LLH6 STSA1805 STSA1805-AP STSA230RA STSA230RA1 STSA851 STSA851-AP STSB43AB22APDTG4 STSB43AB23PDT STSC1 STSD-002GG-P0.6(LF)(SN) STSJ100NH3LL STSJ100NHS3LL STSJ25NF3LL STSJ50NH3LL STSJ60NH3LL