STTH504FP

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STTH504FP 技术参数

STTH4R06DEE-TR 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 4A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:4A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.7V @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（3.3x3.3）工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:1 STTH4R02UY 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 4A SMB 制造商:stmicroelectronics 系列:Q 汽车级包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:4A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.05V @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMB 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C 标准包装:1 STTH4R02U 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 4A SMB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:4A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.05V @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMB 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 STTH4R02SY 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 4A SMC 制造商:stmicroelectronics 系列:Q 汽车级包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:4A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.05V @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AB，SMC 供应商器件封装:SMC 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C 标准包装:1 STTH4R02S 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 4A SMC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:4A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.05V @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AB，SMC 供应商器件封装:SMC 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 STTH512B-TR STTH512D STTH512FP STTH5BCF060 STTH5L04DEE-TR STTH5L06 STTH5L06B STTH5L06B-TR STTH5L06D STTH5L06FP STTH5L06RL STTH5R06B STTH5R06B-TR STTH5R06BY-TR STTH5R06D STTH5R06DJF-TR STTH5R06FP STTH5R06G