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THS4601IDDATHS4601ID 技术参数

THS4601IDDARG3 功能描述:高速运算放大器 Wideband FET-Input Op Amp RoHS:否制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube THS4601IDDAR 功能描述:高速运算放大器 Wideband FET-Input Op Amp RoHS:否制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube THS4601IDDAG3 功能描述:高速运算放大器 Wideband FET-Input Op Amp RoHS:否制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube THS4601IDDA 功能描述:高速运算放大器 Wideband FET In RoHS:否制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube THS4601ID 功能描述:高速运算放大器 Wideband FET-Input Op Amp RoHS:否制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube THS4631DGNG4 THS4631DGNR THS4631DGNRG4 THS4631DR THS50100RJ THS5010KJ THS5010RJ THS50120RJ THS5012RJ THS50150RJ THS5015RJ THS50180RJ THS5018RJ THS501K0J THS501K3J THS501K5J THS501R0J THS501R2J